Computerworld.pl
Konferencje
Badania redakcyjne
Tematy
Agile
AI (Artificial Intelligence)
Aplikacje Biznesowe
Bezpieczeństwo
Big Data
Cloud Computing
DataCenter
SDN
Sieci
Smart City
Sprzęt B2B
Praca w IT
Przemysł 4.0
Digital Leaders
Badanie AudIT
Biblioteka IT
TOP200
Strefy tematyczne
Efektywna praca hybrydowa
Sieci w logistyce
Raportowanie ESG - wszystko, co trzeba wiedzieć
Atman 30 lat Internetu komercyjnego
×
Szukaj
Konferencje
Wiadomości
CIO Executive
Podcasty
Badania redakcyjne
Okiem Prezesa
Wywiady
Badanie AudIT
Biblioteka IT
Praca w IT
Tematy
Agile
AI (Artificial Intelligence)
Aplikacje Biznesowe
Bezpieczeństwo
Big Data
Cloud Computing
DataCenter
SDN
Sieci
Smart City
Sprzęt B2B
Praca w IT
Przemysł 4.0
Digital Leaders
Strefy tematyczne
Efektywna praca hybrydowa
Sieci w logistyce
Raportowanie ESG - wszystko, co trzeba wiedzieć
Atman 30 lat Internetu komercyjnego
TOP200
Kiosk
Archiwum
Newslettery
Strona główna
Temat
NAND
Temat: NAND
Naukowcy z MIT udowodnili, że pamięci flash mogą konkurować z pamięciami RAM
Janusz Chustecki
Jak wiadomo, pamięci RAM nie mają sobie równych pod względem szybkości działania. Pracują dziesiątki tysięcy razy szybciej od dysków twardych oraz dużo szybciej niż półprzewodnikowe pamięci NAND/flash. Jednak naukowcy z MIT udowodnili, że systemy wyposażone w pamięci flash, mające jednak odpowiednią architekturę, mogą rywalizować z powodzeniem z systemami bazującymi na pamięciach RAM.
Intel pracuje nad układami pamięci NAND typu QLC
Janusz Chustecki
Wielowarstwowe układy pamięci NAND mogą umożliwić istotne zwiększenie pojemności i przepustowości dysków SSD. Duże nadzieje wiąże się z układami NAND QLC, w których w jednej komórce pamięci będzie można przechowywać cztery bity informacji.
Na 2,5-calowych dyskach SSD kolejnej generacji będzie można przechowywać 10 TB danych
Janusz Chustecki
Producenci pamięci masowych twierdzą, że po wprowadzeniu do dysków SSD klasy konsumenckiej układów pamięci NAND typu 3D, ich pojemność wzrośnie do 10 TB. Firmy powiększają pojemność układów NAND kolejnej generacji nie zwiększając ich powierzchni, ale rozbudowując je w górę poprzez nakładanie wielu warstw zawierających komórki pamięci.
Pamięci NAND typu TLC zyskują popularność
Janusz Chustecki
Najnowsze układy pamięci NAND/flash oparte na technologii TLC (Triple-Level Cell; układy zdolne przechowywać w jednej komórce trzy bity), zaczynają dominować na rynku i wkraczają do coraz większej ilości mobilnych urządzeń również tych z wyższej półki. Informacje taką można znaleźć w najnowszym raporcie opublikowanym przez firmę analityczną DRAMeXchange.
Pamięć RRAM wchodzi na rynek
Janusz Chustecki
Crossbar jest twórcą technologii RRAM (Resistive RAM), która pozwala produkować bardzo szybkie i pojemne, nieulotne pamięci RAM. Firma twierdzi, że po zastosowaniu w nich specjalnej technologii, pracują one obecnie tak niezawodnie, iż wkrótce na rynek trafią pierwsze takie układy. Będą one miały wielkość znaczka pocztowego i pojemność około 1 terabajta.
AMD wprowadza do oferty dyski SSD
Janusz Chustecki
AMD zawarł porozumienie z OCZ (firmą zależną od korporacji Toshiba) i wprowadzi do swojej oferty produkowane wspólnie z nią dyski SSD. Na początek w ofercie AMD pojawią trzy modele 2,5-calowych dysków SSD należących do linii Radeon R7 (o pojemnościach 120, 240, i 480 GB).
NetApp prezentuje FAS8080EX - nową macierz zoptymalizowaną pod kątem dysków SSD
Janusz Chustecki
NetApp był jedną z pierwszych firm, która wprowadziła do oferty pamięć masową zawierającą wyłącznie układy NAND/flash (chodzi o zaprezentowaną w pierwszym kwartale 2013 r. pamięci masową all-flash noszącą nazwę EF540). Kilka dni temu firma zaprezentował kolejne urządzenie tego typu (w którym można również instalować mieszankę dysków – HD i SSD), nadając mu nazwę FAS8080EX.
SanDisk i Toshiba uruchamiają wspólnie produkcję trójwymiarowych układów pamięci NAND/flash
Janusz Chustecki
Toshiba i SanDisk zawiązały porozumienie, którego cele jest opracowanie trójwymiarowych (3D) układów scalonych pamięci NAND/flash. Pozwolą one budować wydajne oraz pojemne dyski SSD. Firmy zainwestują w nową technologię ok. 4,84 mld USD i zapowiadają, że pierwsze pamięci NAND/flash zawierające układy 3D pojawią się w ich ofertach na początku 2016 r.
Szybki dysk SSD o pojemności 3,2 TB klasy „enterprise”
Janusz Chustecki
OCZ Storage Solutions (oddział firmy Toshiba) wprowadził do oferty dysk SDD (pamięć NAND/flash) o pojemności 3,2 TB. Produkt nosi nazwę Z-Drive 4500 i jest również dostępny w wersjach o mniejszej pojemności (800 GB i 1,6 TB).
IBM oferuje kolejną macierz SAN typu „all-flash”
Janusz Chustecki
Wraz z wprowadzeniem do oferty serwerów linii System X szóstej generacji (platforma x86), IBM wprowadza na rynek nową macierz SAN zawierającą wyłącznie pamięci NAND/flash. Urządzenie nosi nazwę FlashSystem 840 i wykorzystuje technologię, w posiadanie której IBM wszedł po zakupie firmy Texas Memory, co miało miejsce w 2012 r.
Toshiba zapowiada szybką pamięć UFS 2.0
Janusz Chustecki
Toshiba informuje, że w drugim kwartale br. wprowadzi do oferty pamięci NAND/flash dedykowane dla urządzeń mobilnych (smartfony i tablety), pracujące dużo szybciej niż te, które są obecnie instalowane w takich urządzeniach. Będą to pamięci oparte na nowym standardzie UFS 2.0 (Universal Flash Storage 2.0), zaakceptowanym przez JEDEC Solid State Technology Association we wrześniu 2013 r.
Intel prezentuje biznesowe dyski SSD linii Pro 1500
Janusz Chustecki
Intel zaprezentował nową rodzinę dysków Intel Solid-State Drive (SSD) Professional, w tym serię Intel Solid-State Drive Pro 1500. Są to dyski SSD klasy biznesowej zaprojektowane z myślą o łatwym wdrożeniu i zarządzaniu ich bezpieczeństwem.
Poprzednia
strona
1
2
3
4
Następna
strona
Reklama zamknie się za 15 sekund. Przejdź do serwisu »