SanDisk i Toshiba uruchamiają wspólnie produkcję trójwymiarowych układów pamięci NAND/flash

Toshiba i SanDisk zawiązały porozumienie, którego cele jest opracowanie trójwymiarowych (3D) układów scalonych pamięci NAND/flash. Pozwolą one budować wydajne oraz pojemne dyski SSD. Firmy zainwestują w nową technologię ok. 4,84 mld USD i zapowiadają, że pierwsze pamięci NAND/flash zawierające układy 3D pojawią się w ich ofertach na początku 2016 r.

Toshiba i SanDisk zapowiadają, że produkowane przez nie pojedyncze układy pamięci 3D będą w stanie przechowywać do 1 TB danych. Dla porównania - produkowane obecnie przez firmę Toshiba standardowe pamięci NAND/flash (instalowane w smartfonach i tabletach) mają pojemność 64 GB.

Pamięci 3D NAND/flash mają tak dużą pojemność, ponieważ – jak sama nazwa na to wskazuje – mają trójwymiarową budowę. Pierwszą firmą, która wprowadziła na rynek pamięci NAND/flash zawierające układy 3D, był Samsung. Są to pamięci noszące nazwę V-NAND, budowane przy użyciu technologii CTF (Charge Trap Flash).

Zobacz również:

  • Acer prezentuje ekran 3D działający bez dodatkowych okularów
  • Spadają ceny dysków SSD
  • Najnowszy monitor Apple posiada podzespoły z iPhone'a
SanDisk i Toshiba uruchamiają wspólnie produkcję trójwymiarowych układów pamięci NAND/flash

V-NAND (Samsung)

Dzięki niej układy pamięci V-NAND mają dwa razy większą pojemność od układów planarnych (dwuwymiarowych) NAND/flash mających taką samą wielkość, produkowanych przy użyciu technologii 20 nanometrów.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200