Flash rozszerzy DRAM

Pamięć DRAM jest kosztowna, Flash tańsza, ale o wiele wolniejsza. Połączenie obu tych pamięci w jedną strukturę RAM daje sporo korzyści.

Dotychczas pamięci SSD były stosowane jako alternatywa dla mechanicznych dysków twardych, głównie w najszybszych zasobach Tier-0 przeznaczonych do składowania najczęściej przetwarzanych danych, a także w niektórych komputerach przenośnych lub przewoźnych. Pamięci te bardzo dobrze sprawdzają się w , jako bardzo szybka pamięć podręczna w specjalizowanych rozwiązaniach bazodanowych, a także w notebookach, gdzie mogą zastąpić mechaniczne o niedużej pojemności. Najważniejszą z zalet pamięci półprzewodnikowych NAND jest bardzo krótki czas dostępu w porównaniu do dysków mechanicznych (co skutkuje bardzo szybkimi operacjami losowego odczytu i zapisu), a także znacznie mniejszy pobór energii elektrycznej i odporność na wibracje. Najważniejszą wadą pamięci SSD jest wyższy koszt przechowywania gigabajta. Właśnie ze względu na bardzo szybki dostęp swobodny są stosowane przy składowaniu najczęściej przetwarzanych danych, gdzie liczy się szybkość pracy. Mimo dość wysokiej ceny za gigabajt, analitycy IDC przewidują wzrost sprzedaży o 165% rocznie przez najbliższe 3 lata. Jednym z zastosowań, które w przyszłości może jeszcze zwiększyć zapotrzebowanie na pamięć półprzewodnikową w technologii Flash, jest drugi poziom pamięci operacyjnej komputera.

Najpierw DRAM, potem Flash

Inżynierowie od dawna pracowali nad skutecznym rozszerzeniem pamięci operacyjnej. Pewne nadzieje można wiązać ze zrealizowaniem dwuwarstwowej struktury RAM, podobnie do dwuwarstwowej struktury (SSD + dyski mechaniczne) w dzisiejszych rozwiązaniach storage. Andy Walls, główny specjalista do spraw pamięci SSD w oddziale do spraw systemów i technologii firmy IBM uważa, że moduły Flash mogą z powodzeniem posłużyć do powiększenia efektywnej pojemności pamięci DRAM. Pamięć Flash stałaby się wtedy drugim poziomem storage'u, poniżej DRAM i mogłaby rozszerzyć ogólną pojemność RAM przy nieznacznym spadku wydajności w stosunku do pełnego obsadzenia całości pamięci modułami DRAM. Najważniejszą zaletą wykorzystania dwuwarstwowej struktury NAND + Flash jest znacznie niższy koszt, gdyż pamięć DRAM jest 12 razy droższa niż Flash i różnica ta jeszcze się powiększa.

Dla kogo Flash + RAM?

Rozszerzenie pamięci DRAM za pomocą modułów Flash przyniesie w przyszłości najwięcej korzyści firmom, które korzystają z aplikacji bardzo intensywnie korzystających z pamięci RAM. Są to między innymi duże aplikacje napisane w języku Java, które mają tendencję do wykorzystywania olbrzymich ilości pamięci. Walls jest zdania, że oprócz aplikacji biznesowych napisanych w Javie, każde zadanie, które wymaga dużej ilości pamięci, takie jak rejestrowanie zmian w bazie danych, skorzysta z rozwoju tej technologii.


TOP 200