W pamięci błyskowej jeden stan binarny reprezentuje ponad tysiąc elektronów. W pamięci PCM to nie elektrony, ale oporność materiału reprezentuje binarne dane. Zależnie od oporności materiału (czyli jego stanu) mamy do czynienia z jedynką albo z zerem.

Małe, mniejsze, najmniejsze

Jedną z najistotniejszych zalet nowych pamięci jest możliwość ich produkcji w nowoczesnych procesach technologicznych. Powszechnie wiadomo, że produkcja coraz mniejszych układów powoduje napotkanie problemu w postaci wycieków energii, a co za tym idzie niemożność przechowywania danych przy braku zasilania. Inżynierowie twierdzą, że najnowocześniejszy proces technologiczny jaki będzie można zastosować w przypadku tradycyjnych pamięci flash to 45 nm. Taki zostanie wprowadzony zapewne dopiero za kilka lat, lecz już dziś wiadomo, że pamięci PRAM będzie można wytwarzać nawet w 22 nm. Pozostaje nam tylko czekać na zakończenie testów nowych technologii i mieć nadzieję, że IBM nie spocznie na laurach i rozreklamuje swe ciekawe rozwiązanie wśród producentów pamięci. Od sukcesu marketingowego zależy bowiem sukces bądź porażka następcy flash.