IBM opracował nową technologię i zaprezentował gotowe prototypy nowych modułów pamięci wraz z niemiecką firmą Quimonda AG (firma wywodząca się z koncernu Infineon) i tajwańskim koncernem Micronix International.

Nowe pamięci to moduły PRAM (pamięć typu "phase-change"), pamięć nieulotna, czyli taka, która podobnie jak flash, po zaniku zasilania pozwala na przechowywanie danych. Materiał charakteryzuje się tym, że może zmieniać swoją strukturę ze stanu amorficznego w stan krystaliczny. Zmiana stanu materiału następuje w wyniku przepływu elektronów.

Podobne ale inne

Różnice technologiczne pomiędzy obiema technologiami są jednak spore. W pamięci PRAM obwody elektroniczne mają dużo mniejsze rozmiary niż w pamięciach flash (ok. 3 na 20 nm). Rezultaty te były możliwe do uzyskania dzięki opracowaniu i zastosowaniu nowego materiału półprzewodnikowego GeSc (germanium-antimony semi-conductor alloy) którego głównym składnikiem jest specjalny stop germanu. Już teraz konsorcjum złożyło wniosek o ochronę patentową nowego materiału.

Standardowe pamięci komputerowe zmieniają swój stan z zer na jedynki i odwrotnie. W przypadku technologii PRAM informację taką (zero lub jedynka) reprezentuje stan materiału. Stan amorficzny reprezentuje zero, a stan krystaliczny jedynkę.

Pamięć PRAM ma kilka zalet w porównaniu z pamięcią błyskową. Główna z nich to niezawodność pracy. Poza tym pamięć PRAM pracuje dużo szybciej. Jest to możliwe dzięki temu, że materiał zmienia swój stan bez używania pływających bramek.

Pamięć błyskowa stosuje pływające bramki do magazynowania elektronów, które reprezentują binarne dane. W technologii PRAM pływające bramki zostały zastąpione opornikami.