Ponieważ każda z komórek ma ograniczoną trwałość, mierzoną ilością modyfikacji stanu, pojemność całej pamięci będzie spadać w miarę eksploatacji. Obecnie wykorzystywana pamięć Flash w produktach kierowanych na rynek konsumencki ma około pięcioletnią trwałość przy typowej częstotliwości zapisu informacji w tych urządzeniach. Co prawda jest to dłuższy czas niż przewidywany okres eksploatacji takiego urządzenia, ale nawet zapewnienie tej trwałości staje się wyzwaniem w miarę wzrostu gęstości upakowania elementów na płatku półprzewodnika.

Inteligentny kontroler podniesie trwałość pamięci

Jak dotąd producenci rozwiązują ten problem dzięki wprowadzeniu coraz lepszego oprogramowania kontrolerów pamięci, zarządzających zapisem i odczytem danych. Wcześniejsze kontrolery zapisywały te same informacje wielokrotnie, aż do uzyskania poprawnego zapisu, co przyspieszało degradację komórek pamięci. W ciągu ostatnich kilku lat firmy takie jak SandForce opracowały znacznie sprawniejsze kontrolery, które potrafią zapisać informację poprawnie za pierwszym razem.

W tym roku producenci planują wprowadzenie cyfrowych procesorów sygnału (DSP), by poprawić dokładność zapisu danych do pamięci. Krok ten powinien znacznie usprawnić pracę pamięci, prawdopodobnie o wiele bardziej niż wszystkie odkryte dotąd zdobycze związane z korekcją błędów. Technologia cyfrowej obróbki sygnałów, stosowana na przykład w przetwarzaniu dźwięku, może być dalej rozwinięta - obecnie w ten sposób realizuje się stosunkowo proste zadania, ale niebawem będzie można wdrożyć znacznie bardziej zaawansowane algorytmy, które przyniosą poprawę prędkości oraz trwałości pamięci. Badania są bardzo zaawansowane, prawdopodobnie pierwsze procesory DSP będą pracować w pamięciach SSD nowej generacji już w przyszłym roku.

Szybszy interfejs, mniejszy pobór energii

Według firmy Samsung Semiconductor, także interfejs pomiędzy urządzeniami a pamięcią Flash także będzie szybszy. Obecnie stosowane są zaawansowane interfejsy SDR (single data rate), które mogą obsłużyć transfer do 40 Mbit/s oraz DDR (double data rate), osiągające 133 Mbit/s. Następnym krokiem będą interfejsy osiągające 400 Mbit/s, pozwalające przesyłać dane o wiele szybciej.

Kolejne generacje układów będą także znacznie sprawniejsze energetycznie, dzięki zmniejszeniu napięcia zasilania. Samsung zamierza zmniejszyć napięcie zasilania modułów nowej generacji z obecnych 3,3V do 1,8V - dzięki temu zmniejszy się zużycie energii, co może przełożyć się na dłuższy czas pracy urządzeń przenośnych na baterii.