Będzie to pamięć GDDR5, zdolna przepisywać dane (obrazy) z szybkością 24 GB/s. Dostępne obecnie, najszybsze pamięci graficzne (GDDR4) mogą przepisywać dane z szybkością 9,6 GB/s. Pamięci poprzedniej generacji (GDDR3) mogą to robić z szybkością 6,4 GB/s.

Samsung informuje, że układ scalony będzie miał pojemność 512 Mb (16Mb x 32), będzie zasilany napięciem 1,5 wolta i będzie pobierać o ok. 20% mocy mniej niż produkowane obecnie układy GDDR. Produkcja układu ma ruszyć w pierwszej połowie 2008 r.

Zobacz również:

• Samsung otwiera szampana - sprzedał więcej smartfonów od Apple
• Intel Core - wyjaśniamy nazewnictwo nowych układów CPU Intela

Podobne plany ujawniła niedawno również firma Hynix, zapowiadając, że w jej ofercie pojawi się w przyszłym roku pamięć GDDR5 produkowana w oparciu o technologię 66 nanometrów. Będą to układy o pojemności 1 Gb.