ST-MRAM: nieulotna pamięć pracująca tysiące razy szybciej od układów flash

Firma Everspin informuje, że opanowała produkcję bardzo szybkich pamięci MRAM (Magnetoresistive RAM). Mogą one z zastępować pamięci DRAM podczas operacji buforowania danych, a Ich główną zaletą jest to, że potrafią zapisywać dane 10 tys. razy szybciej od pamięci flash. MRAM to rodzaj nieulotnej pamięci RAM, która wykorzystuje tunelowy efekt magnetooporu (zjawisko magnetorezystancji).

Firma nadała opracowanej przez siebie nieulotnej pamięci MRAM nazwę ST-MRAM (Spin-Torque MRAM). Jest to trzecia już generacja pamięci tego typu oferowana przez Everspin, która została zaprojektowana z myślą o instalowaniu w serwerach oraz systemach pamięci masowych.

Technologia spin torque polega na zmianie wartości bitów z zer na jedynki (lub odwrotnie) za pomocą impulsów prądu o bardzo niskim napięciu. Pamięci ST-MRAM bazujące na tej technologii zajmują o 40 do 50 procent mniej miejsca od standardowych pamięci MRAM i są wyjątkowo energooszczędne (pobierają o 40 do 50 pocent mniej prądu). Mogą przy tym współpracować ze standardowymi interfejsami obsługującymi pamięci DDR3/DDR4 DRAM.

Zobacz również:

Everspin wprowadził do oferty swoje pierwsze układy pamięci ST-MRAM w 2012 r. Pracowały one 500 razy szybciej od pamięci flash, ale miały niewielką pojemność 64 Mb. Produkowane obecnie przez Everspin układy pamięci ST-MRAM mają pojemność 256 Mb. Firma zapowiada, że jeszcze w tym roku pojawią się w jej ofercie układy pamięci o pojemności 1 Gb.


TOP 200