Pamięci mające architekturę HBM składają się z wielu modułów DRAM ułożonych pionowo. W przypadku najnowszej pamięci Samsunga każdy z 12 modułów DRAM (czyli stosów) ma pojemność 24 Gb (czyli 3 GB). Głównymi producentami tego typu pamięci są obecnie firmy Samsung, SK Hynix i Micron, które od lat konkurują ze sobą i opracowują coraz to bardziej złożone chipy tego typu, starając się instalować w nich coraz więcej modułów, które są jednocześnie coraz cieńsze i mają coraz to większe pojemności oraz przepustowości.

Wszyscy trzy firmy zapowiadają, że w tym roku wprowadzą do ofert kolejne wersje takich pamięci, na które popyt ciągle rośnie, głównie z powodu coraz to bardziej wymagających aplikacji wykorzystujących technologie AI (sztuczna inteligencja). Samsung ujawnił, że stosuje w swojej pamięci nieprzewodzącą folię kompresyjną (TC NCF), dzięki czemu 12 warstw ma tę samą wysokość co 8 warstw. Folia nowej generacji jest po prostu cieńsza, co dotyczy również szczelin oddzielających od siebie poszczególne warstwy. W efekcie 12-warstwowa pamięć HBM3E ma o blisko 20% większą gęstość w porównaniu z 8-warstwową pamięcią HBM3 .

Zobacz również:

• Majowa konferencja Apple może być ważniejsza niż oczekujemy
• Naukowcy odblokowali "Świętego Graala" technologii pamięci
• Oto najszybsza na świecie pamięć DRAM LPDDR5X

Samsung informuje, że wyższa wydajność i pojemność pamięci HBM3E 12H pozwoli klientom obniżyć całkowity koszt posiadania centrów danych. Jednocześnie przypadku zastosowań AI, średnią prędkość uczenia AI można wtedy zwiększyć o 34%, a liczbę jednoczesnych użytkowników usług wnioskowania można zwiększyć 11,5 razy w porównaniu z pamięciami HBM3 8H.

Firma dostarczyła już klientom próbki testowe pamięci HBM3E 12H i planuje rozpocząć masową produkcję jeszcze w pierwszej połowie tego roku.