Pamięć flash w technologii 70 nm

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci flash o pojemności 1 Gb, używając do jej wytwarzania technologii 70 nanometrów. Pamięci takie są powszechnie stosowane w urządzeniach elektronicznych powszechnego użytku, takich jak kamery cyfrowe czy odtwarzacze plików MP3.

Pamięć flash w technologii 70 nm
Układ należy do produktów linii OneNAND. Samsung twierdzi, że dzięki technologii 70 nm, układ pracuje o ok. 70% szybciej niż podzespoły produkowane przy użyciu technologii 90 nm. Nowe pamięci OneNAND odczytują dane z szybkością 108 MB/s.

Samsung oczekuje, że w 2008 r. użytkownicy wydadzą ponad 1 mld USD na układy OneNAND, a w 2010 co najmniej 1,5 mld USD. Firma wprowadziła niedawno do swojej oferty pamięć masową typu SSD (Solid-State Disk), opartą na układach flash, którą można instalować w miejsce tradycyjnych dysków twardych. Urządzenie o pojemności 32 GB jest umieszczone w standardowej obudowie dyskowej 2,5 cala i współpracuje z magistralą danych ATA.

Zobacz również:

  • Naukowcy odblokowali "Świętego Graala" technologii pamięci
W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200