Pamięć MRAM (znana też pod nazwą STT-RAM lub STT-MRAM; Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory) zapisuje i odczytuje dane równie szybko co ulotne pamięci SRAM czy DRAM, zachowuje jednak dalej dane po odłączeniu od niej zasilania, tak jak ma to miejsce w przypadku pamięci NAND/flash.

Technologia MRAM znana jest od wielu lat. Dość powiedzieć, że pierwsze układy pamięci MRAM wprowadziła na rynek w 2008 roku firma Freescale. Nie zrobiły one jednak kariery, gdyż mogły przechowywać niewielkie ilości danych nie mówiąc już o tym, że były bardzo drogie i dlatego popyt na nie był niewielki. Jednak firma TDK opracowała nowszy, dużo efektywniejszy wariant tego rozwiązania.

Jak wiadomo, w układach MRAM dane są przechowywane w postaci magnetycznego ładunku (a nie ładunku elektrycznego, tak jak ma to miejsce w przypadku standardowych pamięci RAM), wykorzystując zjawisko magnetorezystancji. Dane są tu zapisywane poprzez przemagnesowanie przez prąd materiału magnetycznego, o odczyt polega na pomiarze rezystancji. Zależnie od wielkości rezystancji, odczytywane jest „0” lub „1”.

TDK zademonstrował swój układ STT-MRAM umieszczając go obok standardowego układu pamięci NAND/flash. Wszystko po to, aby pokazać, że układ STT-MRAM zapisuje/odczytuje dane siedem razy szybciej od układu flash.

Firma pokazała też 8-calowy wafel zawierający układy SST-MRAM, wyprodukowany przez zależną od niej korporację Headway Technologies. Wiadomo już, że nie będzie ona w stanie podjąć masowej produkcji takich pamięci, dlatego TDK szuka obecnie producenta scalaków, który podjąłby się takiego zadania. Jest to jednak jeszcze daleka perspektywa.

Układy STT-MRAM ma obecnie w swojej ofercie firma Everspin. Produkuje ona niewielkie ilości takich układów, które firma Buffalo Memory instaluje w dyskach SSD (gdzie pełnią rolę buforów na dane).