4 razy szybsza RAM

Japońska firma Fujitsu Microelectronics opracowała nowego rodzaju układy pamięci Fast Cycle RAM, znacznie szybsze od dotychczas stosowanych.

Japońska firma Fujitsu Microelectronics opracowała nowego rodzaju układy pamięci Fast Cycle RAM, znacznie szybsze od dotychczas stosowanych.

Opracowane przez Fujitsu Microelectronics nowego typu pamięci FCRAM (Fast Cycle RAM) zapewniają czas dostępu do danych wynoszący 20 ns, a więc są prawie 4-krotnie szybsze od obecnie stosowanych układów DRAM.

Przedstawiciele Fujitsu zapowiadają, że pierwsze komputery wyposażone w FCRAM pojawią się na rynku ok. 2000 r.

Pamięci te mają znaleźć zastosowanie przede wszystkim w najwydajniejszych modelach sprzętu - wysokiej klasy serwerach i komputerach obsługujących szczególnie wymagające aplikacje, np. przeznaczone do edycji grafiki trójwymiarowej.

Pierwsze układy FCRAM mają mieć pojemność 64 Mb, ale Fujitsu pracuje już nad wersjami o większej pojemności. Obecnie, 64 Mb pamięci DRAM są już produkowane na skalę masową, a jednocześnie rozpoczyna się produkcja układów 128-megabitowych.

Architektura FCRAM umożliwia jednoczesne deszyfrowanie adresów wierszy i kolumn, a nie sekwencyjne, jak w przypadku klasycznych technologii. Ponadto pamięć umożliwia rozpoczęcie kolejnej operacji odczytu danych bez konieczności oczekiwania na zakończenie poprzedniej.

Wzrost szybkości pracy układów DRAM jest wolniejszy od wzrostu wydajności innych elementów komputerów, np. procesorów. Wynika to m.in. z tego, że technologie adresowania i dostępu do danych w ostatnich latach niewiele zmieniły się.

Producenci DRAM zwiększali dotąd szybkość pracy układów, wprowadzając przede wszystkim różnego rodzaju usprawnienia do architektury interfejsów.

W ostatnim czasie pamięci EDO DRAM, stosowane w komputerach PC, zostały wyparte przez układy SDRAM (synchroniczne DRAM), a w przyszłym roku na rynku pojawią się pamięci Direct RDRAM (Rambus DRAM) - każda z tych technologii umożliwia stopniowe zwiększenie przepustowości systemu.

Niedawno Intel przystąpił do testowania systemów wykorzystujących układy Direct RDRAM - można oczekiwać, że już niedługo technologia ta będzie standardowym rozwiązaniem, stosowanym w komputerach PC. Na rynku dostępne są prototypowe pamięci Direct RDRAM, oferowane przez firmy LG Semicon i Toshiba.

Jednym ze sposobów zwiększenia szybkości pracy pamięci DRAM jest wzrost częstotliwości taktowania układów z 66 MHz na 100 MHz. Ale nawet wtedy czas dostępu do danych, zapisanych w pamięciach DRAM, wynosi ok. 70 ns.

Opracowana przez Fujitsu technologia FCRAM nie jest jedynym nowym rozwiązaniem, które ostatnio zaprezentowano. W ubiegłym roku NEC przedstawił technologię VCM (Virtual Channel Memory, Computerworld nr 46 z 15.12.1997 r.), której zastosowanie w pamięciach DRAM również ma umożliwić znaczne zwiększenie przepustowości systemu. VCM wykorzystuje szerszą od standardowej magistralę danych łączącą matrycę pamięci DRAM i obsługujący ją interfejs z resztą systemu.

Bliższe informacje o Fujitsu Microelectronics są dostępne w Internecie pod adresem http://www.fujitsu.com .