250 THz za 10 lat

Intel, w ogłoszonych niedawno planach rozwoju, zakłada, iż będzie w stanie już za 10 lat wyprodukować układy scalone działające z prędkością 250 THz. Do produkcji ekstremalnie wydajnych chipów wykorzystane mają zostać domieszki galu, arsenu, indu oraz antymonu.

Śmiałe plany koncernu ujawnił podczas zakończonego niedawno Intel Developer Forum Paolo Gargini, dyrektor techniczny Intela. Jego zdaniem projektanci przyszłych układów scalonych będą w stanie kształtować budowę molekularną chipów w niemal dowolny sposób. Kluczem do sukcesu ma być połączenie klasycznego krzemu z takimi pierwiastkami, jak gal, arsen czy ind. Przez ostatnie 30 lat producenci dopracowywali technologie krzemowe, dochodząc do momentu, w którym wykorzystywane warstwy mają grubość kilku atomów. Aby poprawić wydajność działania układów należy zastosować takie materiały, w których elektrony będą poruszały się szybciej. Stosowana, nowoczesna technologia "rozciągniętego krzemu" (strained silicon) umożliwia podwojenie obecnych wyników, ale wówczas osiągnie się limit tego rozwiązania.

Intel pracuje nad zastosowaniem nowych rodzajów półprzewodników, w których elektrony będą poruszały się szybciej. Jak zaznacza dyrektor techniczny Intela, koncepcja nie zakłada budowy podłoża procesorów z innych pierwiastków niż krzem, a jedynie wstrzykiwanie domieszki innych atomów w określone miejsca układu. Udoskonalone układy mają być również zasilane mniejszymi napięciami (kilkaset mV), niż ma to miejsce obecnie.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200