Samsung wprowadził na rynek pod koniec kwietnia br. układy pamięci flash/NAND produkowane przy użyciu technologii 20 nanometrów, a spółka joint venture IM Flash Technologies (założona przez Intel i Micron) poszerzyła w lutym ofertę o układy flash produkowane przy użyciu technologii 25 nanometrów (układ typu MLC zdolny przechowywać 64 Gb danych).

Warto również odnotować fakt, że Micron zamierza wprowadzić do swojej oferty w połowie br. pamięci masowe SSD oznaczone symbolem P300, w których będą instalowane interfejsy SATA 3.0 (przesyłające dane z szybkością 6 Gb/s). Pamięci będą oparte na technologii ONFI 2.1 (Open NAND Flash Interface) i będą w stanie przesyłać szybko dane między układami pamięci flash a kontrolerem, dotrzymując tym samym kroku szybkiemu interfejsowi SATA 3.0.

Tajwańska firm analityczna DRAMeXchange Technology przetestowała na początku br. pamięci masowe SSD o pojemności od 100 do 160 GB i opracowała listę 10 najlepszych rozwiązań. Na pierwszym miejscu znalazła się pamięć firmy Intel (X25-M SSDSA2M160G2GC 160 GB), a kolejne miejsca zajęły następujące produkty: OCZ Vertex PRO 120 GB; A-Data SSD S599 100 GB; G.SKILL Phoenix 100 GB; MX-Technology MXSSD2MDS 100 GB; Micron REALSSD C300 128 GB; Starex 128 GB; Apogee Mars FlashSSD 128 GB; Corsair CMFSSD-128GD1 X128; Super SSpeed SSD 128 GB.

Podsumowanie

Specjaliści są zgodni co do tego, że twarde dyski mają przed sobą jakieś 10 do 12 lat. Oznacza to, że przez ten czas inżynierowie będą w stanie wprowadzać do nich kolejne technologie, dzięki którym będą one pracować coraz szybciej, a ich pojemność będzie rosła. W końcu nadejdzie jednak taki czas, że z twardych dysków nie będzie już można wycisnąć więcej (należy przecież pamiętać, że jest to jedno z nielicznych rozwiązań stosowanych w centrach danych, których efektywność pracy zależy od szybkości pracy dwóch elementów mechanicznych: wirujących talerzy oraz ramienia z głowicami, które przemieszczają się nad talerzami). A wtedy na polu walki pozostaną tylko pamięci SDD.