Oto najszybsza na świecie pamięć DRAM LPDDR5X
-
- Janusz Chustecki,
- 17.04.2024, godz. 10:04
Południowo-koreańska firma Samsung poinformowała w tym tygodniu, że wprowadza do oferty pamięć typu DRAM LPDDR5X, która jest w stanie obsługiwać dane z rekordową szybkością 10,7 Gb/s, czyli o 25% szybciej od poprzedniej wersji układu, który miał przepustowość 8,5 Gb/s.
Premiera nowej pamięci Samsunga ma miejsce zaledwie kilka dni po tym, gdy firma Micron zaprezentowała pamięć LPDDR5X zdolną przetwarzać z dane z szybkością 9,6 Gb/s, chwaląc się iż jest to nowy rekord. Jak widać, mogła się nim cieszyć bardzo krótko.
Układ Samsunga jest to przy tym najmniejszą tego typu pamięcią, wytwarzaną przy użyciu technologii 12 nm, na świecie, którą można instalować nie tylko w smartfonach, ale również w pecetach, gdzie znakomicie zwiększa wydajność aplikacji wykorzystujących sztuczną inteligencję. Układ pamięci ma przy tym dużo mniejsze wymagania dotyczące pobieranej mocy, co w przypadku aplikacji AI jest bardzo istotne. Jest wytwarzany przy użyciu technologii 12 nm i ma pojemność 32 GB.
Zobacz również:
- TSMC: produkcja chipów z użyciem technologii A16 ruszy w 2026 roku
- Naukowcy odblokowali "Świętego Graala" technologii pamięci
- Premiera pierwszej na świecie, 12-to warstwowej pamięci HBM3E
Samsung zapowiedział, że produkcja układu na masową skalę ruszy w drugiej połowie tego roku.
