Toshiba - szybka pamięć, szybkie baterie
- 01.04.2005, godz. 11:34
Przedstawiciele koncernu Toshiba poinformowali o opracowaniu nowej technologii budowy szybkich kości pamięci RAM. Moduły 512 Mb XDR DRAM pracują z prędkością 4,8 GHz, co stanowi 12-krotny wzrost prędkości w stosunku do pamięci obecnie instalowanych w komputerach domowych.
Toshiba 512 Mb XDR DRAM
XDR to technologia opracowana w laboratoriach firmy Rambus. Kości Toshiby wykorzystują także inną technologię Amerykanów - ODR (octal data rate). Jak przewiduje raport firmy IDC, moduły pamięci XDR wejdą do powszechnego użytku nie wcześniej niż w 2007 r.
Zobacz również:
Prototypowa bateria Toshiby
Zwykłe baterie litowo-jonowe ładują się w tempie ok. 2, 3 % ich maksymalnej pojemności na minutę, co sprawia, że czas potrzebny do pełnego naładowania wynosi godzinę lub dłużej. Prototypowe baterie Toshiby mają absorbować w ciągu minuty ok. 80 % maksymalnej pojemności - wynika z informacji udzielonych przez producenta.
Więcej informacji: Toshiba.