Intel: pamięci NOR w technologii 65 nm
-
- Dariusz Niedzielewski,
- 08.11.2006, godz. 16:13
Intel zaczął dostarczać na rynek pamięci flash typu NOR wykonane w technologii 65 nm. Nowe układy, przeznaczone do instalowania w telefonach komórkowych, oferują pojemność 1 Gb i odznaczają się niższym poborem mocy niż poprzednie rozwiązania (90 nm).
Pamięci o nazwie StrataFlash M18 są kompatybilne ze starszymi układami, produkowanymi w technologii 90 nm. Charakteryzują się jednak szybszą pracą i niższym zapotrzebowaniem na prąd. Układy, o pojemności 1 Gb, będą stosowane w telefonach komórkowych koncernów Sony Ericsson Mobile Communications i Infineon Technologies.
W przyszłym roku Intel planuje rozpocząć produkcję pamięci NOR (65 nm) o pojemnościach 512 Mb, 256 Mb i 128 Mb.
W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem IDGLicensing@theygsgroup.com