Wzrośnie przepustowość pamięci RDRAM

Firma Rambus zapowiedziała wprowadzenie na rynek nowego rodzaju układów RIMM4200. Z informacji producenta wynika, że przepustowość tych pamięci będzie ponad 2,5-krotnie większa od obecnie stosowanych.

Rambus zapowiedział wprowadzenie na rynek nowych pamięci RIMM4200. Z informacji producenta wynika, że ich przepustowość będzie ponad 2,5-krotnie większa od obecnie stosowanych układów. Dzięki dodaniu do nowych modułów tzw. drugiego kanału pamięci i szybszych układów sterujących ma ona osiągnąć przepustowość 4,2 GB/s. Standardowe, jednokanałowe pamięci RIMM1600 potrafią "obsłużyć" ok. 1,6 GB danych w ciągu sekundy. Na rynku dostępne są też dwukanałowe moduły tego typu, osiągające transfer rzędu 3,2 GB/s.

Nowe RDRAM-y będą pracowały z częstotliwością 1066 MHz. Obecnie stosowane pamięci tego typu pracują z częstotliwością 800 MHz. Pamięci RIMM4200 powinny trafić na rynek w II kwartale tego roku. Do roku 2005 Rambus planuje rozpoczęcie produkcji modułów RDRAM, pozwalających na transfer danych z prędkością 9,6 GB/s i pracę z częstotliwością 1200 MHz.

Zobacz również:

  • Nadchodzi pamięć LPDDR6 dla urządzeń mobilnych - co wniesie?
W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200