Tranzystor spinowy

Naukowcy z MIT (Massachusetts Institute of Technology) odkryli nowy materiał (magnetyczny półprzewodnik), dzięki któremu będzie można w przyszłości budować bardzo małe i wydajne urządzenia elektroniczne.

Nowy półprzewodnik - tlenek indu z domieszką chromu - ma specyficzne właściwości, klasyfikujące go jako materiał określany mianem elektroniki spinowej. Materiały takie charakteryzują się tym, że stan elektronu (spin) może być wykorzystany do zapamiętywania danych oraz przenoszenia i manipulowania nimi.

Elektronika spinowa znajduje już zastosowanie przy produkcji różnych urządzeń elektronicznych, takich jak np. notebooki. Są to materiały wykorzystywane przy produkcji magnetycznych dysków twardych, gdzie służą do przechowywania informacji. Odkrycie dokonane w laboratorium Francis Bitter Magnet Lab jest przełomowe, ponieważ wykorzystuje dwa stany spinu, co pozwala znacznie zwiększyć szybkość działania półprzewodnika. W konwencjonalnych obwodach elektronicznych wykorzystywany jest tylko stan naładowania elektronu (on lub off).

Zobacz również:

  • IBM wprowadził do oferty usługę, która integruje jej systemy mainframe z chmurą
  • Apple testuje kolorowy ekran typu e-ink

Naukowcy twierdzą, że nowy materiał magnetyczny będzie można umieszczać na powierzchni konwencjonalnego układu krzemowego, do którego będzie można wstrzykiwać elektrony o określonej orientacji spinowej. Elektrony będą następnie odczytywane przez detektor spinowy znajdujący się po drugiej stronie obwodu.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200