Toshiba i SanDisk zmniejszają pamięci NAND

Toshiba i Sandisk rozpoczęły właśnie produkcję 128-gigabitowych modułów pamięci NAND flash w technologii 19 nm. Są to układy TDL - oznacza to, że w każdej komórce pamięci zapisywane są 3 bity danych

Celem obu firm jest oczywiście dalsze zwiększanie pojemności urządzeń wykorzystujących pamięć flash - przejście na proces produkcyjny 19 nm (do niedawna standardem było 25 nm) sprawi, że w urządzeniach o tej samej wielkości będzie można zapisać więcej danych. Chodzi tu m.in. o karty pamięci, nośniki USB czy dyski SSD.

Przedstawiciele SanDiska i Toshiby - firmy wspólnie pracowały nad nowymi układami - poinformowali, że stworzony przez nie 128-gigabitowy moduł NAND Flash ma zaledwie 170 mm kwadratowych powierzchni.

Zobacz również:

  • Problem z flagowymi dyskami WD - producent obiecuje aktualizację

Dodajmy, że niedawno o podobnej innowacji informowały również Intel oraz Micron - obie firmy zaprezentowały wtedy pamięć NAND wyprodukowaną w 20-nanometrowym procesie produkcyjnym.

Warto odnotować, że technologia TDL (czyli przechowywanie 3 bitów danych w jednej komórce) pozwala co prawda na "gęstsze" zapisywanie informacji niż w przypadku SDL (jeden bit w jednej komórce) , ale z drugiej strony taki zapis jest bardziej podatny na błędy.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200