Toshiba i SanDisk zmniejszają pamięci NAND
- Antoni Steliński,
- 24.02.2012, godz. 10:40
Toshiba i Sandisk rozpoczęły właśnie produkcję 128-gigabitowych modułów pamięci NAND flash w technologii 19 nm. Są to układy TDL - oznacza to, że w każdej komórce pamięci zapisywane są 3 bity danych
Polecamy:
Przedstawiciele SanDiska i Toshiby - firmy wspólnie pracowały nad nowymi układami - poinformowali, że stworzony przez nie 128-gigabitowy moduł NAND Flash ma zaledwie 170 mm kwadratowych powierzchni.
Zobacz również:
Dodajmy, że niedawno o podobnej innowacji informowały również Intel oraz Micron - obie firmy zaprezentowały wtedy pamięć NAND wyprodukowaną w 20-nanometrowym procesie produkcyjnym.
Warto odnotować, że technologia TDL (czyli przechowywanie 3 bitów danych w jednej komórce) pozwala co prawda na "gęstsze" zapisywanie informacji niż w przypadku SDL (jeden bit w jednej komórce) , ale z drugiej strony taki zapis jest bardziej podatny na błędy.