Nowa karta może mieć pojemność od 450 GB do 900 GB i zawiera układy pamięci NAND/flash typu SLC (Single-Level Cell) firmy Toshiba, które są produkowane przy użyciu technologii 32 nm. Producent podaje, że karta może przy odczytywaniu danych (bloki o długości 4 KB) wykonywać do 330 tys. operacji I/O na sekundę (do 160 tys. zapis) i jej całkowita przepustowość przy zapisywaniu/odczytywaniu danych w trybie random wynosi 2 GB/s.

Jest to pierwsza karta pamięci firmy Texas Instrument zawierająca nowy kontroler Series-7 Flash, w skład którego wchodzi procesor PowerPC i układ FPGA (Field Programmable Gate Array; programowalny układ scalony) firmy Xilinx. Kontroler wykonuje wszystkie zadania związane z zarządzaniem pamięcią flash, nie obciążając w najmniejszym stopniu układu CPU serwera.

Zobacz również:

• Plikowa, blokowa czy obiektowa pamięć masowa?
• Brak miejsca na dysku? Najlepsze metody na zwiększenie pamięci

Producent podaje w specyfikacji, że opóźnienie przy zapisywaniu danych wynosi 45 mikrosekund, a przy odczytywaniu danych 70 mikrosekund. Texas Memory ocenia żywotność karty RamSan-70 (wspierającej technologię RAID i obsługującej zaawansowany mechanizm korekcji błędów ECC) na 6 do 10 lat.

W napędach SSD klasy "enterprise" stosowane są z reguły układy pamięci flash typu SLC, które pracują bardziej niezawodnie niż układy typu MLC (Multi-Level Cell). Niektóre firmy oferują jednak napędy SSD dla przedsiębiorstw, które zawierają układy flash typu MLC. Można tu np. wymienić firmę Samsung, która pod koniec 2010 r. wprowadziła na rynek napędy SSD zawierające udoskonalone układy typu MLC, którym producent nadał nazwę eMLC (enterprise MLC).