Intel, Hyundai Electronics, Infienon Technologies, Micron Technology, NEC oraz Samsung zamierzają współpracować nad rozwojem nowej generacji układów pamięci DRAM. Jak informują przedstawiciele tych firm, nowa technologia znajdzie zastosowanie najwcześniej w roku 2003. Według niektórych źródeł, układy te będą układami 1-gigabitowymi.

Pierwszym etapem współpracy będą badania mające określić technologie i wymagania stawiane przez przyszłe systemy komputerowe. Dopiero potem będą mogły rozpocząć się prace nad nowymi układami. We współpracy z innymi przedsiębiorstwami, które prawdopodobnie przyłączą się do zapowiedzianej inicjatywy, będzie opracowywana architektura, wzornictwo elektryczne i fizyczne oraz związana z tym infrastruktura dla nowych układów.

Porozumienie ma na celu zapewnienie, że rozwój układów pamięci będzie szedł w tym samym kierunku, co w przypadku procesorów i architektury systemów. Dotychczas bowiem producenci pamięci i Intel obierali inne kierunki. Ci pierwsi, wraz z AMD, popierali układy SDRAM, podczas gdy Intel był zdecydowanym zwolennikiem pamięci DRAM wykorzystujących technologię interfejsu firmy Rambus. Dzięki współpracy obie strony mają nadzieję, że unikną podobnych konfliktów w przyszłości.