Sześciu producentów będzie wspólnie rozwijać technologie DRAM

Intel, Hyundai Electronics, Infienon Technologies, Micron Technology, NEC oraz Samsung zamierzają współpracować nad rozwojem nowej generacji układów pamięci DRAM. Jak informują przedstawiciele tych firm, nowa technologia znajdzie zastosowanie najwcześniej w roku 2003. Według niektórych źródeł, układy te będą układami 1-gigabitowymi.

Intel, Hyundai Electronics, Infienon Technologies, Micron Technology, NEC oraz Samsung zamierzają współpracować nad rozwojem nowej generacji układów pamięci DRAM. Jak informują przedstawiciele tych firm, nowa technologia znajdzie zastosowanie najwcześniej w roku 2003. Według niektórych źródeł, układy te będą układami 1-gigabitowymi.

Pierwszym etapem współpracy będą badania mające określić technologie i wymagania stawiane przez przyszłe systemy komputerowe. Dopiero potem będą mogły rozpocząć się prace nad nowymi układami. We współpracy z innymi przedsiębiorstwami, które prawdopodobnie przyłączą się do zapowiedzianej inicjatywy, będzie opracowywana architektura, wzornictwo elektryczne i fizyczne oraz związana z tym infrastruktura dla nowych układów.

Porozumienie ma na celu zapewnienie, że rozwój układów pamięci będzie szedł w tym samym kierunku, co w przypadku procesorów i architektury systemów. Dotychczas bowiem producenci pamięci i Intel obierali inne kierunki. Ci pierwsi, wraz z AMD, popierali układy SDRAM, podczas gdy Intel był zdecydowanym zwolennikiem pamięci DRAM wykorzystujących technologię interfejsu firmy Rambus. Dzięki współpracy obie strony mają nadzieję, że unikną podobnych konfliktów w przyszłości.