Samsung zaprezentował pamięć PRAM

Samsung zaprezentował nowy rodzaj pamięci o nazwie PRAM (Phase-change RAM), która może w przyszłości zastąpić w telefonach przenośnych pamięć NOR flash.

Nowa pamięć (która ma się pojawić na rynku w 2008 r.) pracuje szybciej niż układy DRAM (Dynamic RAM) i podobnie jak pamięć zachowuje dane po odcięciu od niej zasilania. Jak zapewnia Samsung, pamięć PRAM przesyła dane 30 razy szybciej niż pamięć flash, jest łatwiejsza w produkcji i jej czas pracy jest 10 razy dłuższy.

Największymi producentami pamięci NOR flash są obecnie dwie firmy: Intel i Spansion. Pamięć PRAM będzie też musiała rywalizować z innymi rodzajami pamięci instalowanymi w przenośnych telefonach, w tym z pamięcią DRAM, która jest szeroko stosowana w pecetach i konsolach gier, i dlatego jest tania.

Samsung zamierza najpierw wprowadzić na rynek układy pamięci PRAM o pojemności 512 Mb.