Samsung nadał tej architekturze – która zastępuję starszą architekturę FinFET- firmową nazwę Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Nazwa Gate-All-Around oznacza, że wszystkie cztery strony kanałów wchodzących w skład układu są otoczone bramkami, co pozwoliło zwiększyć wielkość prądu zasilającego tranzystory. To duża zaleta w porównaniu z technologią FinFET, który wykorzystuje tylko trzy strony.

Południowokoreańska firma informuje, że wytwarzane obecnie układy 3 nm zostały zaprojektowane z myślą o stosowaniu w wysokowydajnych komputerach stacjonarnych. Firma przygotowuje się już do podjęcia produkcji układów 3 nm, które znajdą zastosowanie w mobilnych urządzeniach.

Zobacz również:

• Technologia QDEL ma zastąpić OLED jako najwyższej klasy wyświetlacze do 2026 roku
• Samsung otwiera szampana - sprzedał więcej smartfonów od Apple

Samsung jest obecnie największym na świecie producentem chipów pamięci i drugim co do wielkości producentem chipów na rynku foundry, konkurując na nim z tajwańskim potentatem TSCM (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), który przygotowuje się do rozpoczęcia masowej produkcji układów 3 nm przy użyciu własnej linii produkcyjnej. Obie firmy będą w najbliższym czasie ostro ze sobą rywalizować, starając się sprzedawać takie chipy wiodącym na świecie producentom urządzeń elektronicznych, głównie smartfonów.

Samsung ogłosił, że zamierza wydać w ciągu najbliższych pięciu lat 355 mld USD na rozwój nowoczesnych technologii używanych do wytwarzania układów scalonych. Pod koniec zeszłego roku Samsung ogłosił, że rozpoczyna budować potężną fabrykę chipów w USA (w Tayler; Teksas), inwestując w to przedsięwzięcie 17 mld USD.