Samsung wprowadza do oferty pamięci DDR5 kolejnej generacji

Południowokoreański gigant technologiczny informuje, że w pierwszym kwartale przyszłego roku uruchomi produkcję układów pamięci DDR5 kolejnej generacji, wytwarzając je przy użyciu technologii 12 nanometrów.

Grafika: Samsung

Samsung podaje, że są to układy mające pojemność 16 Gb, w których dzięki stosowaniu opracowanego przez siebie materiału high-k najnowszej generacji oraz litografii EUV, udało mu się jeszcze bardzie zagęścić tranzystory. W efekcie wydajność pamięci w porównaniu z poprzednią generacją układów DRAM wzrosła o 20%, co oznacza iż z jednego wafla krzemu można wytworzyć więcej pamięci DDR5.

Układ ma przepustowość 7,2 Gb/s i może przetwarzać w ciągu jednej sekundy do 60 GB danych, pobierając przy tym o jedną piątą mniej energii w porównaniu z podobnymi układami poprzedniej generacji. Samsung zamierza wprowadzić na rynek więcej produktów z serii DRAM klasy 12 nm do zastosowań w centrach danych, sztucznej inteligencji i obliczeniach o wysokiej wydajności.

Zobacz również:

  • Ujawniono nowe funkcje smartfonów Samsung Galaxy
  • Samsung przygotowuje się do udostępnienia nakładki One UI 5.1
  • Ta fuzja może zmienić obraz rynku pamięci NAND/flash
W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200