Pamięć firmy Crossbar, która może zastąpić w przyszłości układy flash
-
- Janusz Chustecki,
- 06.08.2013, godz. 08:59
Crossbar zapowiada nieulotną pamięć, która w opinii specjalistów może zastąpić stosowane obecnie powszechnie pamięci NAND/flash. To pamięć typu RRAM (Resistive Random-Access Memory). Crossbar zapewnia, że jest ona mniejsza, szybsza oraz bardziej energooszczędna od dostępnych obecnie na rynku nieulotnych pamięci.
Firma twierdzi, że jej pamięć RRAM pracuje 20 razy szybciej (podczas operacji zapisywania danych) niż pamięć NAND/flash oraz pobiera 20 razy mniej prądu i jest co najmniej 10 razy bardziej żywotna. Chipsety pamięci RRAM można łączyć w stos, a moduł mający pojemność 1 TB jest dwa razy mniejszy niż pamięć o podobnej pojemności typu NAND/flash.
Crossbar nie podał jak dotąd ceny pamięci zapewniając jednocześnie, że będzie na pewno tańsza niż pamięci NAND/flash, gdyż koszty jej produkcji są niższe od kosztów produkcji pamięci flash. Firma zamierza też udzielać licencji na produkowanie jej pamięci RRAM innym producentom układów scalonych zainteresowanym tą technologią. Ocenia się, że pierwsze urządzenia zawierające pamięć RRAM firmy Crossbar mogą się pojawić na rynku za dwa lata.
Zobacz również:
- Naukowcy odblokowali "Świętego Graala" technologii pamięci
- Oto najszybsza na świecie pamięć DRAM LPDDR5X
Pamięć RRAM produkowana przez Crossbar ma inną architekturę niż standardowe pamięci NAND/flash. Opracowana przez nią technologia nie wykorzystuje tranzystorów, a bazuje na specjalnych komórkach RRAM składających się z dwóch warstw oraz przełącznika (switching medium), który pozwala określić czy komórka znajduje się w stanie 1 czy 0. W górnej warstwie komórki znajduje się metaliczna elektroda, a w dolnej niemetaliczna. Górna warstwa przepuszcza jony metalu do przełącznika oraz dalej do dolnej warstwy. W ten sposób obie warstwy są ze sobą połączone i cała komórka znajduje się w stanie "short wire." Po przyłożeniu do komórki ujemnego ładunku obie warstwy przestają być ze sobą połączone, co oznacza iż jej stan zmienił się na przeciwny. Nie jest to zatem klasyczna bramka stosowana w pamięciach flash, gdyż decydującą rolę odgrywa tu rezystancja układu.
Pamięć RRAM wykorzystuje dostępne obecnie materiały i może być wytwarzana przy użyciu standardowych metod produkcji chipsetów. Crossbar informuje, że pierwsze, prototypowe układy pamięci RRAM zostały wyprodukowane w fabryce należącej do tajwańskiej firmy TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.).
