Pamięć DDR2 DRAM 50 nm

Samsung opracował układ scalony DDR2 DRAM (Double Data Rate, second generation DRAM) wytwarzany przy użyciu technologii 50 nanometrów.

Pamięć DDR2 DRAM 50 nm
Chociaż firma zamierza produkować układ DDR2 DRAM 50 nm na masową skalę dopiero w 2008 roku, to sam fakt opracowania takiego produktu świadczy o tym, że dostawcy pamięci RAM przygotowują się na przyjęcie systemu operacyjnego Vista (Microsoft), który jest bardzo wymagający w tym względzie.

Gartner przewiduje, że po wprowadzeniu na rynek oprogramowania Vista, producenci pecetów będą w nich musieli instalować pamięci RAM o dużo większej pojemności. Microsoft opracował już zalecenia dotyczące tej kwestii. Pecet będzie mógł nosić oznaczenie Windows Vista Capable PC wtedy, gdy będzie zawierać pamięć DRAM o pojemności nie mniejszej niż 512 MB. Komputery zawierające pamięć DRAM o pojemności 1 GB będą miały prawo nosić oznaczenie Windows Vista Premium Ready PC.

Zobacz również:

  • Samsung wyprzedził konkurencję - uruchomił produkcję chipów 3 nm

Samsung twierdzi, że technologia 50 nm zwiększa efektywność produkcji o 55% (w porównaniu z technologią 60 nm), zmniejszając jednocześnie koszty wytworzenia układu. Firma ujawniła, że do produkcji układu używa specjalnych tranzystorów 3D o nazwie SEG tr (Selective Epitaxial Growth transistor), które optymalizują szybkość przepływu elektronów, ograniczając w ten sposób pobór prądu i zwiększając wydajność pamięci. Inne usprawnienia wprowadzone do układu pozwalają zwiększyć pojemność pamięci i jej niezawodność.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200