Nowa technologia, opracowana przez IBM oraz niemiecką firmę Qimonda AG i tajwańską spółkę Macronix International, pozwala budować układy scalone PRAM (pamięć RAM typu "phase-change"). Jest to pamięć nieulotna, co oznacza, że podobnie jak pamięć flash zachowuje dane po odcięciu zasilania.

Firmy zbudowały już prototyp takiej pamięci, która pracuje 500 razy szybciej niż dostępne obecnie pamięci flash, pobierając przy tym dwa razy mniej mocy. Nowa pamięć jest też bardziej wytrzymała niż pamięć typu flash, która odmawia posłuszeństwa zwykle po wykonaniu ok. 100 tys. cykli zapisywania/odczytywania danych.

Zobacz również:

• Oto najszybsza na świecie pamięć DRAM LPDDR5X
• Trwają prace nad komputerami symulującymi działanie ludzkiego mózgu

Obwody elektroniczne znajdujące się na układzie "phase-change" są dużo mniejsze od tych jakie są zagnieżdżane na układach flash (mają rozmiary ok. 3 na 20 nanometrów). Tak dobre wyniki (duża szybkość i małe rozmiary) uzyskano w dużej mierze dzięki zastosowaniu nowego materiału półprzewodnikowego (GeSc; germanium-antimony semi-conductor alloy), którego głównym składnikiem jest specjalny stop germanu.

Firmy zgłosiły już wniosek o ochronę patentem składu materiały. Szczegóły nowej technologii zostaną zaprezentowane w tym tygodniu w San Francisco na konferencji 2006 International Electron Devices Meeting, której organizatorem jest IEEE.