Technologia Hybrid Memory Cube (promowana i wspierana przez HMCS; Hybrid Memory Cube Consortium) bazuje na ścisłym zintegrowaniu pamięci z kontrolerem DRAM za pomocą nowej metody VIA (Vertical Interconnect Access), która umieszcza elektryczne przewody łączące oba te elementy w krzemowych waflu, rozmieszczając je tam pionowo (stąd w nazwie technologii słowo Vertical).

Pierwsza wersja specyfikacji Hybrid Memory Cube (HMC 1.0) pozwoli budować układy pamięci o pojemności 2 GB i 4 GB, oferujących zagregowaną przepustowość dochodzącą do 160 GB/s. Dla porównania, produkowane obecnie układy pamięci DDR3 oferują przepustowość rzędu 11 GB/s, a w przypadku układów DDR4 przepustowość waha się w granicach od 18 do 20 GB/s.

Zobacz również:

• Oto najszybsza na świecie pamięć DRAM LPDDR5X
• Premiera pierwszej na świecie, 12-to warstwowej pamięci HBM3E

Technologia Hybrid Memory Cube rozwiązuje szereg problemów występujących w procesie produkowania układów pamięci. Są to głównie problemy związane z miedzianymi połączeniami obsługującymi komunikację w samym układzie oraz zapewniającymi mu kontakt ze światem zewnętrznym. W efekcie pamięć Hybrid Memory Cube może wymieniać dane z pozostałymi elementami komputera 15 razy szybciej niż standardowe pamięci DRAM, pobierając przy tym o 70% mniej energii

Specyfikacja Hybrid Memory Cube definiuje również dwa fizyczne interfejsy pamięci. Pierwszy nosi nazwę "short reach", a drugi “ultra-short reach". Pierwszy interfejs jest podobny do większości rozwiązań stosowanych obecnie w płytach głównych, w których pamięć DRAM znajduje się nie dalej niż 25 centymetrów od układu CPU. Interfejsy “short reach" mają głównie obsługiwać aplikacje sieciowe i powinny zwiększyć dostępną obecnie przepustowość 15 Gb/s na jeden pin do 28 Gb/s na pin.

Interfejsy "ultra short-reach" nadają się lepiej do obsługiwania sygnałów mających mniejszą energię i wymieniania danych z bliżej położonymi elementami, takimi jak układy FPGA, ASIC i ASSP, jak również bardzie wymagających aplikacji sieciowych (np. testerów i urządzeń mierzących wydajność sieci). W tym przypadku zakładana przepustowość wynosi 15 Gb/s na jeden pin.