Samsung uruchomił masową produkcję nowych układów pamięci DRAM – LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate) o pojemności 8 gigabitów umożliwiających zapis/odczyt z prędkością do 3,2 Gb/s.

Układy są instalowane w modułach DRAM o pojemnościach 2, 3 lub 4 GB przeznaczonych do zastosowań w smartfonach i tabletach. Masowa produkcja modułów 2 i 3 GB została uruchomiona w grudniu, a 4-giabajtowe mają się pojawić na rynku na początku 2015 roku. Pamięci są przystosowane do współpracy z najnowszymi 8-rdzeniowymi procesorami Qualcomm Snapdragon 810.

Jak podkreśla Samsung, nowe pamięci istotnie zwiększą wydajność obsługi wielu równolegle działających aplikacji, umożliwią wykonywanie ciągłej serii zdjęć przy wykorzystaniu 20-megapikselowych kamer oraz pozwolą na lepsze niż dotąd nagrywanie wideo o jakości UHD (Ultra-High Definition). Układy mają też niższe napięcie zasilania i są bardziej energooszczędne niż wytwarzane dotąd.

Nie wiadomo jeszcze jaka będzie polityka producentów sprzętu, ale wydaje się, że w przyszłym roku w urządzeniach wysokiej klasy minimalna pojemność pamięci RAM będzie wynosić przynajmniej 3 GB. Taką pamięć mają już najnowsze modele Google Nexus 6, Sony Xperia Z3 oraz Samsung Galaxy Note 4.

Na razie nie wiadomo kiedy pojawią się pierwsze modele smartfonów z pamięcią RAM o pojemności 4 GB. Najprawdopodobniej nastąpi to dopiero w drugiej połowie 2015 roku.

Zwiększenie mocy przetwarzania procesorów i szybkości pamięci DRAM to nie jedyne ulepszenia, które producenci wprowadzą w 2015 w swoich flagowych modelach smartfonów.

Można oczekiwać popularyzacji wyświetlaczy o rozdzielczości 2560x1440 pikseli, a także kamer 3D pozwalających na rejestrację obrazów 3-wymiarowych.