Nowa generacja półprzewodników
- (wp),
- 06.03.2007
Intel i IBM w styczniu tego roku ogłosiły niezależnie, że przygotowują się do wprowadzenia nowych materiałów półprzewodnikowych wykorzystujących inne niż dotąd związki metaliczne, które w połączeniu z krzemem umożliwią tworzenie mniejszych tranzystorów i istotne ograniczenie efektów upływności prądu, a w efekcie budowę znacznie bardziej wydajnych niż obecnie mikroprocesorów.
Intel i IBM w styczniu tego roku ogłosiły niezależnie, że przygotowują się do wprowadzenia nowych materiałów półprzewodnikowych wykorzystujących inne niż dotąd związki metaliczne, które w połączeniu z krzemem umożliwią tworzenie mniejszych tranzystorów i istotne ograniczenie efektów upływności prądu, a w efekcie budowę znacznie bardziej wydajnych niż obecnie mikroprocesorów.
Szczegóły dotyczące nowych materiałów są na razie trzymane w tajemnicy, ale IBM zapowiedział ostatnio uruchomienie programu badawczego, który ma przyspieszyć wdrożenie nowej technologii.
Zostanie w nim wykorzystany superkomputer Blue Gene/L (4096 procesorów), którego zadaniem będzie symulacja działania mikroprocesora zbudowanego przy zastosowaniu różnych mieszanek materiałowych na poziomie pojedynczych atomów. IBM planuje praktyczne wprowadzenie nowej technologii w 2008 r., a Intel zamierza zrobić to jeszcze wcześniej - pod koniec 2007 r. - wraz z wprowadzeniem nowego, 45-nanometrowego procesu technologicznego.