Micron dołącza do producentów pamięci flash typu QLC

Micron jest jednym z ostatnich liczących się rynku dostawców układów scalonych, który zapowiedział uruchomienie produkcji pamięci NAND typu QLC (Quadruple-Level Cell), dołączając tym samym do takich firm, jak Toshiba i Western Digital.

Są to nieulotne pamięci flash, w których jedna komórka może przechowywać cztery bity. W pierwszych, wprowadzonych wiele lat temu na rynek pamięciach flash, jedna komórka mogą przechowywać tylko jeden bit. Kolejne wersje pamięci tego typu były w stanie przechowywać dwa, a następnie trzy bity. Najnowsza generacje tego typu pamięci zawiera komórki, które są w stanie przechowywać cztery bity, co przekłada się oczywiście na dużo większą pojemność pamięci masowych SSD, w których znajdują się układy NAND/flash.

Warto przypomnieć, że pierwsze pamięci flash, w których komórka mogła przechowywać jeden bit, weszły na rynek w latach 1985 do 1900. Były to pamięci typu SLC (Single-Level Cell). Pamięci takie wprowadzono najpierw do systemów obliczeniowych typu mainframe. Po dziesięciu latach pojawiły się pamięci flash zawierające komórki zdolne przechowywać dwa bity. Były to układy typu MLC (Multi-Level Cell).

Zobacz również:

Następnie przyszedł czas na układy flash TLC (Triple-Level Cell), w których w jednej komórce można przechowywać trzy bity. Było to w 2013 roku. Samsung (pierwszy producent takich układów) wprowadził je wtedy do pamięci SSD linii 840.

Komórki, które są w stanie przechowywać więcej niż jeden bit, charakteryzują się tym, że każdym bitem steruje napięcie o innej wartości. Z tym iż po dodaniu kolejnego bitu trzeba podwoić liczbę poziomów napięć. I tak w przypadku komórek SLC mamy do czynienia z dwoma poziomami napięcia. Komórki MLC wymagają obecności czterech poziomów napięcia, komórki TLC osiem poziomów, a komórki QLC już szesnaście. Jest to więc duże wyzwanie techniczne dla producentów tego typu układów.


TOP 200