Magnetyczne pamięci MRAM

IBM i Infineon Technologies (Siemens) rozpoczęły współpracę nad nową technologią układów pamięci MRAM (Magnetic Random Access Memory), które zamiast ładunków elektrycznych, tak jak w typowych pamięciach RAM, do przechowywania informacji będą wykorzystywać zapis magnetyczny.

IBM i Infineon Technologies (Siemens) rozpoczęły współpracę nad nową technologią układów pamięci MRAM (Magnetic Random Access Memory), które zamiast ładunków elektrycznych, tak jak w typowych pamięciach RAM, do przechowywania informacji będą wykorzystywać zapis magnetyczny.

Zdaniem twórców, MRAM wykorzystuje najlepsze technologie opracowane dla różnych typów pamięci. Układy mają działać z szybkością dostępu podobną do statycznych pamięci SRAM. Ich pojemność i niski koszt produkcji będą zbliżone do układów DRAM. Nie będzie także konieczne stałe zasilanie, jak to ma miejsce w przypadku pamięci typu Flash.

Jak sądzą niektórzy specjaliści, nowa technologia ma szansę na zrewolucjonizowanie rynku układów pamięci. Urządzenia wykorzystujące układy MRAM pojawią się w sprzedaży prawdopodobnie dopiero w 2004 r.