Magnetyczne pamięci

Motorola zapowiada, że już w przyszłym roku na rynek mogą trafić pierwsze egzemplarze modułów pamięci MRAM (Magnetic RAM). Do masowej produkcji miałyby wejść na początku 2004 roku. W porównaniu z tradycyjnymi pamięciami układy MRAM pozwalają na zmniejszenie zużycia energii i pracę urządzeń w trybie instant-on (natychmiastowe uruchamianie).

Motorola zapowiada, że już w przyszłym roku na rynek mogą trafić pierwsze egzemplarze modułów pamięci MRAM (Magnetic RAM). Do masowej produkcji układy te miałyby wejść na początku 2004 roku.

Wykorzystywane w pamięciach typu DRAM komórki przechowujące dane, w MRAM mają być zastąpione warstwą magnetyczną. Mogą one utrzymywać określony stan bez konieczności ciągłego zasilania, co jest konieczne w przypadku tradycyjnych pamięci DRAM. Początkowo MRAM „Nieulotnosć” pamięci pozwoli np. natychmiastowo uruchamiać wyposażone w te moduły urządzenia, bez czekania na załadowanie systemu operacyjnego. Kolejną zaletą magnetycznych pamięci jest fakt, że ich wytwarzanie może odbywać się z wykorzystaniem obecnych linii do produkcji układów w technologii CMOS.

Intensywne prace nad rozwojem MRAM prowadzą obecnie, poza Motorolą, także IBM, Infineon, Intel oraz Taiwan Semiconductor Manufacturing.