Kolejna inwestycja Intela w RDRAM

Intel zaoferował pomoc finansową dla firmy Toshiba w postaci inwestycji w produkcję układów pamięci nowej generacji. Jest to kolejne działanie Intela, mające przekonać producentów pamięci do wytwarzania DRAM budowanych według technologii Rambus. W połowie stycznia br. Intel zainwestował 100 mln USD w Samsunga i wyraził chęć inwestowania w NEC-a.

Intel zaoferował pomoc finansową dla firmy Toshiba w postaci inwestycji w produkcję układów pamięci nowej generacji. Jest to kolejne działanie Intela, mające przekonać producentów pamięci do wytwarzania DRAM budowanych według technologii Rambus. W połowie stycznia br. Intel zainwestował 100 mln USD w Samsunga i wyraził chęć inwestowania w NEC-a.

Jeżeli propozycje wszystkich inwestycji zostaną przyjęte, może to oznaczać szybki wzrost popularności nowych pamięci Direct RDRAM (Rambus DRAM).

Toshiba potwierdziła otrzymanie propozycji od Intela, jednak nie podała szczegółów oferty. "Otrzymaliśmy propozycję i analizujemy ją" ? stwierdzili przedstawiciele firmy.

Układy pamięci budowane z wykorzystaniem technologii Rambus mają pojawić się w drugiej połowie br. Oczekuje się, że zaczną one stopniowo zastępować stosowaną obecnie pamięć SDRAM i wkrótce staną się podstawowymi układami stosowanymi w komputerach osobistych.