IBM i TDK pracują nad układami MRAM

IBM i TDK podpisały umowę dotyczącą wspólnych prac nad kompaktowymi układami scalonymi MRAM (Magnetoresistive RAM) o wysokiej pojemności.

Obie firmy chcą opracować technologię produkcji układów MRAM charakteryzujących się niewielkimi rozmiarami i dużo większą pojemnością niż było to możliwe do tej pory, tak aby pamięć taką można było stosować np. w komputerach przenośnych i urządzeniach elektronicznych powszechnego użytku.

W układach MRAM (znanych również pod nazwą magnetyczny RAM) do zapamiętywania danych używane są nie ładunki elektryczne (jak ma to miejsce w tradycyjnych układach RAM), ale niewielkie pola magnetyczne. Jest to pamięć nieulotna, co oznacza, że dane są zapamiętywane (tak jak w przypadku pamięci flash) po odjęciu zasilania.

Zobacz również:

  • IBM wprowadził do oferty usługę, która integruje jej systemy mainframe z chmurą
  • Apple rozważa rezygnację z chińskiego poddostawcy podzespołów
IBM i TDK pracują nad układami MRAM
Pamięć MRAM pracuje szybciej niż pamięć flash, dorównując pod tym względem wydajności pamięci DRAM (Dynamic RAM). Pierwsze układy pamięci MRAM (o pojemności 4 Mb) wprowadziła na rynek w 2006 r. firma Freescale (zdjęcie układu o nazwie MR2A16A widać obok). Nie jest to duża pojemność, stąd potrzeba opracowania pamięci MRAM mogących przechowywać dużo większe porcje danych.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200