Po pierwsze, po tym gdy litografia EUV przeszła trzy lata temu na technologię 7 nm, w przyszłym roku czeka nas zapewne kolejna rewolucja i wejście technologii 3 nm. Wiadomo już, że prawdopodobnie w połowie przyszłego roku co najmniej dwie firmy uruchomią produkcję układów scalonych bazującą na tej technologii.

Chodzi o firmy TSMC i Samsung, z tym że TSMC postawi na standardową technologię FinFET, podczas gdy Samsung wykorzysta po raz pierwszy własną implementację technologii GAAFET, która nosi nazwę MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Tranzystor).

Zobacz również:

• Technologia QDEL ma zastąpić OLED jako najwyższej klasy wyświetlacze do 2026 roku
• Chińscy naukowcy zaprezentowali na wskroś innowacyjne chipy AI
• Pierwsze produkowane przez TSCM chipy 2 nm trafią do Apple

Różnica między tymi dwoma rozwiązaniami jest taka, że w architekturze FinFET bramka ma kontakt z kanałem drenażowym z trzech stron, podczas gdy w przypadku GAAFET bramka kontaktuje się z nim z czterech stron, powierzchnia styku jest większa.

Wszystko wskazuje na to, że pierwsze partie układów produkowanych z wykorzystaniem technologii 3 nm znajdą zastosowanie w wydajnych komputerach HPC oraz w smartfonach z półki „high end”, ponieważ te właśnie produkty stawiają stosunkowo duże wymagania dotyczące wysokiej wydajności i energooszczędności, a układy 3 nm nie mają sobie pod tym względem równych.

Kolejna prognoza dotyczy układów pamięci DRAM. Tu dominują trzy firmy: Samsung, SK Hynix i Micron. Opanowały one obecnie już 80% tego rynku i rywale są daleko w tyle. Można się spodziewać, że zaczną one w przyszłym roku produkować na masową skalę pamięci DDR5 nowej generacji (które są nie tylko energooszczędne, ale mają wydajność rzędu 4800 Mb/s), jak również zwiększą znacznie produkcję pamięci LPDDR5, które są instalowane w smartfonach.

Nie bez znaczenia jest tu fakt, że Intel wypuszcza nowe procesory obsługujące pamięć DDR5, takie jak układ Alder Lake dedykowany dla komputerów PC oraz Eagle Stream dla serwerów. Oznacza to, że pod koniec 2022 roku układy DDR5 opanują nawet do 15% tego rynku.

No i wreszcie ostatnia prognoza dotyczy produktów NAND Flash. Jak wiadomo w zeszłym roku z taśm produkcyjnych zaczęły schodzić pierwsze układy tego typu produkowane z wykorzystaniem technologii 176L. Przyszły rok należeć tu będzie zapewne do technologii 200L, chociaż niektórzy snują przypuszczenia, że pod koniec 2022 roku pojawią się już pierwsze układy tego typu, z których znajdzie się więcej niż 200 warstw, chociaż ich pojemność pozostanie na tym samym poziomie co obecnie, czyli będzie wynosić od 512 Gb do maks. 1 Tb.

I jeszcze dwa zdania o interfejsach pamięci masowych. Udział w rynku dysków SSD PCIe Gen4 prawdopodobnie gwałtownie wzrośnie w przyszłym roku w segmencie komputerów konsumenckich. Można też oczekiwać, że w segmencie serwerów - co będzie mieć związek wejściem do masowej produkcji intelowskich procesorów Eagle Stream, które obsługują PCIe Gen 5 - na rynku dysków SSD dla przedsiębiorstw pojawią się również produkty wspierające ten interfejs.

Warto przypomnieć, że w porównaniu z poprzednią generacją, PCIe Gen 5 oferuje podwojenie szybkości przesyłania danych. Ponadto wprowadzenie dysków SSD PCIe Gen 5 znacząco zwiększy średnią pojemność pamięci masowych instalowanych w serwerach.