Catalyst – superkomputer, w którym królują układy NAND/flash
- Janusz Chustecki,
- 05.11.2013, godz. 11:14
W USA powstaje superkomputer, w którym pamięci DRAM oraz dyski twarde zostały zastąpione dyskami SSD (pamięć NAND/flash). Urządzenie nosi nazwę Catalyst jest budowane przez U.S. Department of Energy oraz firmy Cray i Intel, zostanie oddane do użytku pod koniec listopada br. i będzie mieć początkową moc rzędu 150 teraflopsów.
Superkomputer (instalowany w Lawrence Livermore National Laboratory; Livermore; Kalifornia) zawiera 324 węzły obliczeniowe (nodes) oraz dyski SSD o ogólnej pojemności 281 TB. W skład każdego węzła obliczeniowego wchodzą dwa dwunastordzeniowe procesory Xeon E5-2695v2. Cały komputer zawiera więc 7776 rdzeni obliczeniowych. Każdy węzeł ma do dyspozycji 128 GB pamięci DRAM, a 304 węzły są dodatkowo wyposażone w dyski SSD o pojemności 800 GB. Ponadto, 12 węzłom towarzyszą systemy pamięci masowej SSD o pojemności 3,2 TB, do których dostęp mają wszystkie jednostki obliczeniowe wchodzące w skład superkomputera.
System pracuje pod kontrolą oprogramowania Lustre (system plików). I chociaż daleko mu do najszybszego superkomputera pracującego obecnie na świecie (Tianhe-2; 54,9 petaflopsów), to zasługuje na uwagę ze względu na to, że pamięci DRAM oraz HDD zostały w nim zastąpione przez dyski SSD. Catalyst ma dlatego dużą przepustowość (512 GB/s), czyli taką, jaką oferuje superkomputer Sequoia, zajmujący obecnie trzecie miejsce na liście TOP500 (mający wydajność 20 petaflopsów).
Zobacz również:
Superkomputer zawiera intelowskie dyski SSD 910 mające pojemność 800 GB, które są podłączone do interfejsów PCI-Express 2.0. Idea zastępowania pamięci DRAM dyskami SSD zyskuje z czasem coraz więcej zwolenników. Należy do nich np. Facebook, który zaprojektował prototypowy serwer McDipper, w którym miejsce pamięci DRAM zajęły dyski SSD. Sprzyjają temu nowe technologie wprowadzane do dysków SSD, takie jak np. zaprezentowane kilka miesięcy temu przez firmę Samsung układy pamięci NAND/flash, oznaczone symbolem V-NAND (Vertical-NAND), które mają 10 razy większą żywotność w porównaniu ze standardowymi pamięciami tego typu oraz oferują dwukrotnie wyższą wydajność.