SanDisk i Toshiba uruchamiają wspólnie produkcję trójwymiarowych układów pamięci NAND/flash
- Janusz Chustecki,
- 16.05.2014, godz. 10:51
Toshiba i SanDisk zawiązały porozumienie, którego cele jest opracowanie trójwymiarowych (3D) układów scalonych pamięci NAND/flash. Pozwolą one budować wydajne oraz pojemne dyski SSD. Firmy zainwestują w nową technologię ok. 4,84 mld USD i zapowiadają, że pierwsze pamięci NAND/flash zawierające układy 3D pojawią się w ich ofertach na początku 2016 r.
Toshiba i SanDisk zapowiadają, że produkowane przez nie pojedyncze układy pamięci 3D będą w stanie przechowywać do 1 TB danych. Dla porównania - produkowane obecnie przez firmę Toshiba standardowe pamięci NAND/flash (instalowane w smartfonach i tabletach) mają pojemność 64 GB.
Pamięci 3D NAND/flash mają tak dużą pojemność, ponieważ – jak sama nazwa na to wskazuje – mają trójwymiarową budowę. Pierwszą firmą, która wprowadziła na rynek pamięci NAND/flash zawierające układy 3D, był Samsung. Są to pamięci noszące nazwę V-NAND, budowane przy użyciu technologii CTF (Charge Trap Flash).
Zobacz również:
Dzięki niej układy pamięci V-NAND mają dwa razy większą pojemność od układów planarnych (dwuwymiarowych) NAND/flash mających taką samą wielkość, produkowanych przy użyciu technologii 20 nanometrów.