Computerworld.pl
Konferencje
Badania redakcyjne
Tematy
Agile
AI (Artificial Intelligence)
Aplikacje Biznesowe
Bezpieczeństwo
Big Data
Cloud Computing
DataCenter
SDN
Sieci
Smart City
Sprzęt B2B
Praca w IT
Przemysł 4.0
Digital Leaders
Badanie AudIT
Biblioteka IT
TOP200
Strefy tematyczne
Efektywna praca hybrydowa
Sieci w logistyce
Raportowanie ESG - wszystko, co trzeba wiedzieć
Atman 30 lat Internetu komercyjnego
×
Szukaj
Konferencje
Wiadomości
CIO Executive
Podcasty
Badania redakcyjne
Okiem Prezesa
Wywiady
Badanie AudIT
Biblioteka IT
Praca w IT
Tematy
Agile
AI (Artificial Intelligence)
Aplikacje Biznesowe
Bezpieczeństwo
Big Data
Cloud Computing
DataCenter
SDN
Sieci
Smart City
Sprzęt B2B
Praca w IT
Przemysł 4.0
Digital Leaders
Strefy tematyczne
Efektywna praca hybrydowa
Sieci w logistyce
Raportowanie ESG - wszystko, co trzeba wiedzieć
Atman 30 lat Internetu komercyjnego
TOP200
Kiosk
Archiwum
Newslettery
Strona główna
Temat
DRAM
Temat: DRAM
Premiera pierwszej na świecie, 12-to warstwowej pamięci HBM3E
Ruszyła produkcja układów pamięci DRAM najnowszej generacji
Samsung wdraża najszybszą pamięć LPDDR5X na świecie
Daniel Olszewski
Samsung zaprezentował najszybsza pamięć operacyjną na sieci. Przepustowość sięga 8,5 Gbps.
Samsung twierdzi: mamy najszybszą na świecie pamięć LPDDR5X DRAM
Janusz Chustecki
Południowokoreański gigant technologiczny Samsung poinformował wczoraj, że testy badające wydajność produkowanej przez niego pamięci DRAM oznaczonej symbolem LPDDR5X wykazały, że obsługuje ona dane z rekordową szybkością 8,5 Gb/s. Jest to pamięć wytwarzana przy użyciu technologii tzw. ekstremalnego ultrafioletu EUV 14 nm, obsługująca znaną platformę Snapdragon firmy Qualcomm.
Pierwsza pamięć DRAM z takim interfejsem
Janusz Chustecki
Samsung zaprezentował pierwszy na świecie moduł DRAM wyposażony w interfejs CXL (Compute Express Link). To pamięć DDR5 zgodna z formatem EDSFF (Enterprise and Datacenter SSD Form Factor), zaprojektowana z myślą o instalowaniu w wysokowydajnych serwerach, która może mieć pojemność liczoną w terabajtach.
Spadają ceny pamięci DRAM
Janusz Chustecki
Jak przewiduje DRAMeXchange (oddział firmy analitycznej TrendForce) ceny pamięci DRAM przeznaczonych dla serwerów spadną w pierwszym kwartale tego roku o ponad 20%. Jest to spowodowane głównie tym, że podaż znacznie przewyższa popyt. To bezlitosny mechanizm rynkowy, który dotyka obecnie boleśnie producentów tego rodzaju układów scalonych.
Na zdecydowany spadek cen pamięci NAND flash poczekamy jeszcze dwa lata
Janusz Chustecki
Firma analityczna Gartner przewiduje, że ceny pamięci NAND flash (które są instalowane w dyskach SSD) i RAM zaczną spadać w znaczący i odczuwalny dla użytkowników komputerów sposób dopiero w 2019 roku.
Superszybka pamięć Optane wchodzi do sprzedaży
Janusz Chustecki, Wiesław Pawłowicz
Intel i Micron zapowiadają, że moduły superszybkiej, nieulotna pamięci Optane już za kilka miesięcy pojawią się na rynku.
W oczekiwaniu na pamięci DRAM DDR5
Janusz Chustecki
Okazuje się, że prace nad specyfikacją DRAM DDR5 postępują żwawo do przodu i według ekspertów zostanie ona zaakceptowana i opublikowana jeszcze w tym roku. Jeśli tak się stanie, to pierwsze komputery zawierające takie układy trafią do rąk użytkowników w 2020 roku.
HPE persistent memory – nieulotna pamięć DRAM
Janusz Chustecki, Wiesław Pawłowicz
HP Enterprise wprowadza do nowych modeli serwerów pamięci NVDIMM integrujące układy DRAM i flash w jednym module instalowanym w standardowych gniazdach DIMM.
Czy Chiny zdominują rynek pamięci flash i DRAM?
Janusz Chustecki
30% wszystkich produkowanych na świecie pamięci flash oraz 21% układów DRAM kupują obecnie chińskie firmy. Oznacza to, że sytuacja gospodarcza w tym kraju ma decydujący wpływ na ten segment rynku i ceny pamięci w skali globalnej.
NRAM – nanorurki, które zastąpią układy pamięci NAND/flash
Janusz Chustecki
Firma Nantero opracowała technologię produkcji układów scalonych zawierających węglowe nanorurki, które w opinii specjalistów zastąpią za kilka lat standardowe układy pamięci typu DRAM oraz NAND/flash. NRAM (Nonvolatile RAM) pracują setki razy szybciej od pamięci NAND/flash i tak samo jak one przechowują dane bez konieczności stałego zasilania.
1
2
3
Następna
strona
Reklama zamknie się za 15 sekund. Przejdź do serwisu »