Duże inwestycje TSMC i Samsunga zaowocują nie tylko wzrostem produkcji, ale również pojawieniem się nowych generacji układów.

Mimo doniesień o trudnej sytuacji finansowej producentów układów półprzewodnikowych, największe dalekowschodnie firmy TSMC i Samsung rozpoczęły ogromne inwestycje w budowę nowych fabryk. TSMC zamierza wydać 2 mld USD, a Samsung - 1,8 mld USD.

Dla siebie i na zamówienie

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.) rozpoczęła na Tajwanie budowę nowej fabryki elementów półprzewodnikowych. Będzie to pierwszy zakład tego producenta, który wykorzystuje 12" płytki krzemowe. Masowa produkcja ma się rozpocząć na początku 2002 r. - początkowo przy zastosowaniu technologii 0,15 i 0,13 ľm, a później również 0,10 ľm. TSMC należy do największych na świecie producentów układów półprzewodnikowych, który wytwarza je również na zlecenie. Szybka implementacja najbardziej zaawansowanych technologii przez TSMC może przyczynić się do wzmocnienia pozycji rynkowej VIA Technologies. VIA pretenduje ostatnio do roli największego konkurenta Intela, ale nie ma własnych fabryk i produkuje procesory w zakładach innych firm, przede wszystkim w TSMC.

Wymuszona inwestycja

Samsung Electronics rozpoczął budowę w Korei fabryki pamięci DRAM, której linie produkcyjne mają być uruchomione już w III kw. 2000 r. Na początku do wytwarzania 128- i 256-megabitowych pamięci DRAM, DDR DRAM i Rambus zakłady te będą wykorzystywać technologię 0,15 ľm. Samsung zapowiada, że do 2001 r. firma uruchomi produkcję w technologii 0,10 ľm.

Obecnie Samsung Electronics jest największym na świecie producentem pamięci DRAM, z ponad 20-proc. udziałem w rynku. Decyzja o rozpoczęciu budowy tak dużej fabryki układów pamięci może się wydawać zaskakująca, gdyż ostatnio częściej słychać było o planach ograniczania produkcji DRAM lub zmianie profilu. Inwestycja w technologie najnowszej generacji była nieunikniona, jeśli Samsung chce utrzymać pozycję lidera.