IBM zaprezentował pamięć PCM nowej generacji

IBM pracuje od dawna nad pamięciami PCM (Phase-Change Memory), które według specjalistów mogą w przyszłości zastąpić z powodzeniem pamięci NAND/flash. Korporacja zademonstrowała ostatnio nowe pamięci tego typu, które charakteryzują się dużo lepszymi parametrami, niż te produkowane do tej pory.

Chodzi tu głównie o możliwość upakowania w jednej komórce pamięci PCM większej liczby bitów. I tak w jednej komórce pamięci PCM nowej generacji inżynierom z IBM udało się upakować trzy bity. Komórki pamięci PCM poprzedniej generacji zawierały dwa bity. Jest to więc wzrost zagęszczenia bitów o 50%.

Warto przypomnieć, że PMC to – podobnie jak NAND/flash, a inaczej niż DRAM – pamięć nieulotna. Pamięć PCM jest przy tym dużo szybsza od pamięci flash. Można z niej odczytać dane z czasie ok. jednej mikrosekundy. W przypadku pamięci flash jest to co najmniej 70 mikrosekund.

Zobacz również:

  • IBM podpisało z armią amerykańską intratny kontrakt
  • Oto najszybsza na świecie pamięć DRAM LPDDR5X

Pamięć PCM wygrywa też z pamięciami flash jeśli chodzi o żywotność. Ta pierwsza może zapisywać dane nawet 10 mln razy, podczas gdy w przypadku pamięci flash wartość tę liczymy nie w milionach, a tysiącach.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200