Nowe tranzystory Intela w technologii Tri-Gate mają być o 37% bardziej wydajne

Nowy rodzaj tranzystora pozwoli branży dalej rozwijać się w zgodzie z prawem Moore`a. Intel chce być pierwszym producentem procesorów, który uruchomi masową produkcję układów opartych na tranzystorach trójbramkowych. Ma to pozwolić na budowanie mniejszych, tańszych, szybszych i bardziej energooszczędnych mikroprocesorów. Pierwsze układy oparte na nowych tranzystorach trafią na rynek najprawdopodobniej już w 2012 roku.

Przedstawiciele koncernu Intel oficjalnie zapowiedzieli zamiar uruchomienia masowej produkcji układów opartych na nowej generacji tranzystorów. Zakłada ona, że wykorzystywane obecnie, cienkie, niemal dwuwymiarowe warstwy krzemu tworzące podstawowe elementy tranzystora zostaną zastąpione strukturami wznoszącymi się prostopadle ponad podłoże krzemowe.

Innowacyjność tego rozwiązania polega m.in. na zastosowaniu trójwymiarowych bramek pozwalających na bardziej efektywne kontrolowanie przepływu prądu przy jednoczesnym zwiększeniu przekroju strumienia elektronów. Takie rozwiązanie pozwala na zmniejszenie ograniczeń prądowych tranzystorów i zredukowanie niekontrolowanych upływów energii do minimum. Tym samym nowe tranzystory tranzystorach będą bardziej wydajne - nawet o 37% - i energooszczędne.

Zobacz również:

  • Powstała najnowocześniejsza na świecie fabryka chipów
  • Qualcomm przejmuje Autotalks i skupia się na rynku automotive

Zastosowanie pionowych kanałów przepływu elektronów ma jednocześnie pozwalać na większe upakowanie tranzystorów w strukturach mikroprocesorów. Wszystko to ma przekładać się na możliwość budowania mniejszych, szybszych i bardziej energooszczędnych mikroprocesorów. "Zamierzamy wykorzystać nową technologię we wszystkich liniach produktowych - na najszybszych układach serwerowych począwszy, a na najbardziej energooszczędnych procesorach dla urządzeń przenośnych skończywszy" - podkreśla Mark Bohr, dyrektor Intela ds. architektury procesorów i integracji. Zdaniem przedstawicieli koncernu, nowa technologia zostanie wykorzystana w kolejnych generacjach procesorów wytwarzanych w technologii 22 nm. Będą to m.in. układy rodziny Ivy Bridge. Uruchomienie masowej produkcji procesorów z tej linii zaplanowano na IV kwartał 2011 r.

Nowe tranzystory Intela w technologii Tri-Gate mają być o 37% bardziej wydajne

Tranzystor tradycyjny (po lewej) i tranzystor oparty na technologii Tri-Gate (po prawej)

Układy wytwarzane przy wykorzystaniu takiego procesu produkcyjnego i w oparciu o tranzystory Tri-Gate mają być o 37% szybsze względem analogicznych procesorów wytwarzanych w technologii 32 nm. Mark Bohr podkreśla również, że technologia Tri-Gate pozwoli również na zmniejszenie kosztów produkcji procesorów. Jednocześnie układy bazujące na tranzystorach nowej generacji mają charakteryzować się również 2-krotnie wyższą wydajnością energetyczną. Oznacza to, że przy tej samej wydajności będą one pobierać mniej energii niż układy wytwarzane obecnie.

"Nowy rodzaj tranzystora pozwoli branży dalej rozwijać się w zgodzie z prawem Moore`a" - zapewnia Mark Bohr. Dodaje przy tym, że procesy projektowania kolejnych, bardziej wydajnych generacji procesorów opartych na tradycyjnych tranzystorach z roku na rok stawało się coraz trudniejsze m.in. ze względu na ogromną gęstość upakowania elementów mikroprocesorów. "Technologia Tri-Gate jest rozwiązaniem tego problemu" - twierdzi Mark Bohr.

W celu komercyjnej reprodukcji treści Computerworld należy zakupić licencję. Skontaktuj się z naszym partnerem, YGS Group, pod adresem [email protected]

TOP 200