Pamięci półprzewodnikowe bardzo pomogły w ogólnym rozwoju urządzeń przenośnych, będących alternatywą dla klasycznych komputerów lub laptopów. Wszystkie tablety zapowiadane przez najważniejszych producentów będą zawierać wyłącznie pamięć półprzewodnikową, podobnie jak wiele netbooków. Tak jak notebooki nie przejęły całkowicie rynku komputerów PC, pamięci SSD nie wyprą dysków mechanicznych w przewidywalnej przyszłości. Niemniej jednak w niektórych zastosowaniach pamięci Flash stają się sensowną alternatywą.

Najważniejszą przewagą pamięci Flash jest jej niewielki rozmiar, oszczędność energii elektrycznej, szybkość pracy i odporność na uszkodzenia mechaniczne. Moduły te także ograniczają emisję ciepła, dzięki czemu można zredukować aktywne chłodzenie. Najważniejszą wadą jest koszt - 1 GB pamięci Flash kosztuje prawie osiem razy tyle co ta sama przestrzeń na dysku magnetycznym.

Urządzenia przenośne korzystają z pamięci półprzewodnikowej, która charakteryzuje się bardzo dużą prędkością odczytu, i mogą być dostosowane do konkretnego sprzętu. Skutkuje to znacznie krótszym czasem startu urządzenia - właśnie ta cecha jest wysoce pożądana przez użytkowników. Ponadto pamięć półprzewodnikowa jest odporniejsza na urazy mechaniczne, gdyż nie ma ruchomych części.

Walka o mikrometry

Pamięci półprzewodnikowe są wykonywane w podobnej technologii jak inne układy scalone, zatem producenci mogą wykorzystać te same zdobycze technologiczne, które zostały opracowane na potrzeby dzisiejszych mikroprocesorów - na przykład coraz gęstsze procesy technologiczne.

Firma Micron Technology wprowadziła na rynek moduły Flash wykonane w technologii 25 nanometrów już na początku ubiegłego roku. Według Glena Hawka, wiceprezesa działu technologii rozwiązań NAND w firmie Micron, niebawem można się spodziewać sprzedaży układów nowej generacji, wykonanych w jeszcze gęstszej technologii.

Firma Samsung Semiconductor wykorzystuje proces 30 nm, ale według Steve Weingera, dyrektora działu marketingu, można oczekiwać przejścia na proces rzędu "dolnego przedziału 20-30 nm", przy czym nastąpi to jeszcze w tym roku.

Podobnie jak w przypadku mikroprocesorów, mniejsze oznacza nie tylko szybsze, ale także tańsze przy tej samej wydajności. Obecnie moduł 64 GB firmy Micron kosztuje około 130 USD, ale w ciągu najbliższych 18 miesięcy cena powinna spaść poniżej 100 USD za moduł o dwukrotnie większej pojemności - 128 GB.

Jednocześnie w miarę wzrostu gęstości procesu praca modułu staje się coraz trudniejsza. Pamięć Flash przechowuje dane przy użyciu impulsów o stosunkowo wysokim napięciu, powodując zmianę poszczególnych komórek. Im gęściej są one upakowane, tym trudniej zapisać informację do właściwej komórki. Problem ten jest znacznie bardziej dokuczliwy w przypadku produktów przeznaczonych na rynek konsumencki, gdzie w pojedynczej komórce przechowuje się kilka bitów.