Jak podaje czerwcowy ComputerWorld/USA, naukowcy firmy IBM z Watson Research Center opracowują, bazując na technologii MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) najmniejszy na świecie tranzystor.

Stosowanie takich tranzystorów do chipów pamięciowych może ułatwić powstanie układów o pojemności 4 GB w jednej strukturze. Największe, do tej pory osiągane pojemności to 16 MB w elemencie. Eksperymentalny tranzystor ma wymiar 1/75000 średnicy ludzkiego włosa i umożliwi pracę 4 GB chipu w temperaturze pokojowej. Niestety, ze względu na bardzo duże koszty prac nad wdrożeniem technologii nowego półprzewodnika wątpliwe jest, aby struktury takie były dostępne przed 2010 r.