Pięć dużych firm wytwarzających elementy półprzewodnikowe zawarło dwa oddzielne sojusze, w celu opracowania i produkcji układów pamięci.

Pierwsze zawarły porozumienie IBM Corp., Siemens AG i Toshiba Corp. Utworzyły one zespół naukowy, pracujący w ASTC (Advanced Semiconductor Technologu Center) firmy IBM w Nowym Jorku. W ciągu kiku lat chcą one opracować technologię wytwarzania układów pamięci DRAM 256 Mb z zastosowaniem fotolitografii 0,25 mikrometra. Wykonanie takich układów oznacza 16-krotny wzrost pojemności.

Drugie porozumienie zawarły Fujitsu i Advanced Micro Devices, które chcą współpracować w dziedzinie wytwarzania EPROM-ów i pamięci typu flash. Firmy te chcą wybudować w Japonii fabrykę układówpamięciowych, wytwarzającą rocznie 700 mln płytek półprzewodnikowych. Zakład ten, korzystający z technologii 0,5 mikrometrów (i mniej) na płytkach 8", będzie uruchomiony w 1994 r.