Producenci zapowiadają, że prawo Moore'a będzie obowiązywać przez kolejną dekadę.

Intel i AMD zapowiedziały podczas konferencji IEDM (International Electron Devices Meeting) wprowadzenie nowych technologii, które mają umożliwić wytwarzanie układów scalonych o częstotliwościach liczonych w dziesiątkach gigaherców. Choć ich praktyczne wdrożenie przy masowej produkcji mikroprocesorów nastąpi dopiero za kilka lat, to - jak twierdzą przedstawiciele Intela - umożliwią one przedłużenie aktualności prawa Moore'a przynajmniej o kolejną dekadę.

Intel zaprezentował informacje o tzw. technologii TeraHertz. Polega ona na głębokiej modyfikacji procesu wytwarzania mikroprocesorów: zmniejszeniu wymiarów elementów półprzewodnikowych oraz wprowadzeniu nowych materiałów. W laboratoriach Intela już opracowano metody wytwarzania tranzystorów CMOS o wymiarach 15 nm (0,015 µm), nowe rodzaje podłoża umożliwiające 100-krotne zmniejszenie upływu prądu przez warstwę izolatora oraz materiały, które zastępują w konstrukcji tranzystorów wykorzystywany obecnie dwutlenek krzemu i pozwalają 10 tys. razy zmniejszyć straty mocy, występujące wskutek upływu prądu przez bramki sterujące pracą tranzystorów.

Technologia TeraHertz ma umożliwić zarówno ok. 10-krotne zwiększenie częstotliwości mikroprocesorów, jak i co najmniej 25-krotny wzrost gęstości upakowania elementów półprzewodnikowych do poziomu 1 mld tranzystorów w jednym układzie. Warto przypomnieć, że już w czerwcu br. Intel zademonstrował laboratoryjne tranzystory pracujące z częstotliwością 1,5 THz (1500 GHz) i przygotowuje technologię litografii tzw. Extreme Ultra-Violet, która umożliwi zapowiadane zmniejszenie wymiarów ścieżek i pojedynczych elementów układów scalonych.

Oprócz tego Intel poinformował o opracowaniu nowej technologii konstrukcji obudów dla procesorów - tzw. BBUL (Bumpless Bulid-Up Layer). Ma ona znaleźć zastosowanie w nowych generacjach układów. BBUL pozwala na wytworzenie elementów obudowy i wyprowadzeń bezpośrednio wokół rdzenia układu, eliminując w ten sposób stosowany obecnie proces lutowania.

Według Intela, wdrożenie produkcji nowej generacji procesorów wykorzystujących prezentowane technologie nastąpi prawdopodobnie w roku 2005.

O podobnych osiągnięciach poinformowała też Advanced Micro Devices. W laboratorium AMD Submicron Development Center opracowano prototypy tranzystorów również o wymiarach ok. 15 nm. Mają one zostać wykorzystane w mikroprocesorach wytwarzanych w technologii CMOS 30 nm (0,03 µm). Prototypowe tranzystory wymagają napięcia zasilania o wartości 0,8 V, a ich konstrukcja umożliwia osiągnięcie rekordowej częstotliwości pracy wynoszącej aż 3300 GHz.

Przedstawiciele AMD oceniają obecnie, że wdrożenie tej technologii w masowej produkcji układów scalonych nastąpi prawdopodobnie do- piero ok. 2009 r.