Przełom w technologii produkcji procesorów

10 lipca 2008 12:25
Newsroom IDG.pl/Ludwik Krakowiak

Naukowcy z Massachusetts Institute of Technology odkryli metodę wykorzystania nanotechnologii do znacznego zmniejszenia rozmiarów układów komputerowych, dzięki czemu mogą one stać się jeszcze tańsze i bardziej wydajne niż dotychczas.

Technika opracowana przez MIT opiera się na zastosowaniu technologii litografii w nanoskali tj. na odwzorowaniu na płytce krzemowej jeszcze drobniejszych wzorów obwodów scalonych niż to się dzieje obecnie. Litografia optyczna wykorzystuje światło lasera do przeniesienia wzoru na układ. Ralf Heilmann z MIT, członek zespołu badawczego, wyjaśnia, że w przeszłości wytwórcy procesorów używali laserów o krótszej długości fali, aby uzyskać drobniejsze wzory. Ta technika ma jednak swoje ograniczenia.

Do wygenerowania wzoru użyto technologii litografii holograficznej, ale posłużono się w tym procesie specjalnym narzędziem - "nanolinijką", zbudowaną przez absolwentów MIT. Służy ona do wykonywania niezmiernie precyzyjnych operacji w wariancie technologii litograficznej zwanej litografią holograficzną wiązką skanującą (scanning-beam interference lithography, SBIL). SBIL wykorzystuje fale dźwiękowe o częstotliwości 100 MHz do rozszczepienia i modulacji częstotliwości światła lasera, co w konsekwencji przynosi gwałtowne pokrycie wzorcem dużej powierzchni.

"Nanolinijka" z 300-milimetrową płytką krzemową

Technika umożliwi wytwórcom układów przejście do procesu produkcyjnego 25 nm, co stanowi ogromny krok naprzód w porównaniu z obecnie wykorzystywanymi układami - najnowocześniejsze procesory komputerowe produkowane są w procesie 45 nm. Intel w 2007 r. przeszedł na tę produkcję z procesu 65 nm, a w 2009 r. zamierza wdrażać proces produkcyjny 32 nm. "Mapa drogowa" producentów procesorów zakłada przejście na proces 25 nm w okresie 2013 - 2015 r.

"Obwody scalone i tranzystory będące podstawą budowy procesora - im są mniejsze, tym działają szybciej i większą ich liczbę można zmieścić na jednym układzie. Stają się tańsze i potężniejsze w tym samym czasie" - tłumaczy Heilmann. Odkrycie Amerykanów może przyczynić się do opracowania nowej generacji układów scalonych, pamięci komputerowej, zaawansowanych baterii słonecznych i innych urządzeń elektronicznych.

Badania zostały częściowo sfinansowane przez instytut NASA i amerykańską Narodową Fundację Naukową.

Więcej informacji: Massachusetts Institute of Technology

Oceń artykuł

średnio:  liczba ocen:

Komentarze

Redakcja Computerworld.pl nie ponosi odpowiedzialności za wypowiedzi Internautów opublikowane na stronach serwisu oraz zastrzega sobie prawo do redagowania, skracania bądź usuwania komentarzy zawierających treści zabronione przez prawo, uznawane za obraźliwie lub naruszające zasady współżycia społecznego. Osoby zamieszczające wypowiedzi naruszające prawo lub prawem chronione dobra osób trzecich mogą ponieść z tego tytułu odpowiedzialność karną lub cywilną.

sin - ekspert

  • ocena: brak oceny
  • IP: 80.238.80.2
  • 04-08-2008, 15:27

CELL rzondzi! Bo cell jest juz dawno produkowany z 20mm, a intele 40mm, to prawie pół centymetra. Więc CELL rzondzi jak zwykle!!!!

Alien z kosmosu

  • ocena: brak oceny
  • IP: 83.27.47.100
  • 18-07-2008, 23:15

Problem bedzie stonowilo promieniowanie kosmiczne. Bedzie ono moglo wywolywac zmiany napiec na tak malych scierzkach, ktore maja zbyt mala pojemnosc elektryczna, co bedzie powodowalo bledy! (przelaczanie stanow tranzystorow, juz zdarzaja sie takie przypadki, choc bardzo rzadko)

ktoś

  • ocena: brak oceny
  • IP: 79.186.102.108
  • 11-07-2008, 00:07

@Gość:
Tak jak pisze cvb, ponadto wraz ze zmniejszaniem technologii zmniejsza się pojemnośc bramki, przez co szybciej można osiągać stan 0 i 1 przy tej samej amplitudzie napięcia.

cvb

  • ocena: brak oceny
  • IP: 89.78.52.243
  • 10-07-2008, 23:17

gosciu nie farmazon bo taka jest prawda ze wzgledu na krotsze polaczenia - ale problem jest inny - uplywnosc i przebicia - problemy z izolacja
juz widac problemy z intelen 45nm po duzym przetaktowaniu

Nick

  • ocena: brak oceny
  • IP: 91.94.175.228
  • 10-07-2008, 23:14

Im mnniejsze...ale zazwyczaj nie mniejsze ale na podobnej powierzchni jest coraz WIĘCEJ tranzystorów, coraz gęsciej dochodzi do przełączeń - zauważcie ze procesory z przed lat pobierały ok 10-20W energii a obecnie to ok 120W
przy podobnej powierzchni
Obawiam sie ze z tym poborem to nie do końca prawda.
Problemem jest coraz więcej W/mm2
Oczywiście ze im mniejszy kanał, bramka tym mniejszy pobór pradu przez taki tranzystor (choćby ze wzgledu na pojemności pasożytnicze, mniejszy kanał to także mniejsze prądy przy przełączeniu bramek etc.

Szybsze owszem, prawo podwajania liczby tranzystorów co 18 misiecy owszem...ale nie koniecznie zmniejszenie mocy...chyba ze zwiekszenie mocy obliczeniowej/moc energii.

Whitepaper Connect

Warunki obsługi - Kontakt - Redakcja - Regulamin - O nas - Polityka prywatności - Serwis zgodny z ASME - Reklama - Licencjonowanie treści
Computerworld Polska i Computerworld Polska online są znakami towarowymi IDG Poland SA.
© Copyright 2008 International Data Group Poland S.A. 04-204 Warszawa ul. Jordanowska 12 tel.(+4822)321-78-00 fax(+4822)321-78-88